温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器，该半导体结构包括：基底；形成于基底表面的传输栅极；形成于基底内的浮动扩散区和过渡掺杂区；其中，过渡掺杂区位于传输栅极在基底的投影与浮动扩散区之间；过渡掺杂区的掺杂浓度小于...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。