【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体发光，具体涉及一种微型发光器件及其制作方法。
技术介绍
1、micro-led(micro light emitting diode，微型发光二极管)芯片阵列片通常是指在单个led(light emitting diode，发光二极管)外延片上，通过光刻、刻蚀、蒸镀、切割等工艺形成的芯片阵列。应用于微显示屏的micro-led芯片阵列片尺寸一般为几毫米至几十毫米。相较于目前的lcd(liquid crystal display，液晶显示器)和oled(organic lightemitting display，有机发光显示器)等显示器件，micro-led显示器件具备反应迅速、高色域、高ppi(pixels per inch，像素每英寸)、高亮度和低能耗等显著优势，可广泛应用于ar(augmented reality，增强现实)/vr(virtual reality，虚拟现实)微显示和可穿戴微显示等领域。
2、然而，现有micro-led显示器件的制造工艺存在产品良率及可靠性低的问题。
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【技术保护点】
1.一种微型发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述多个驱动芯片之间设有切割道，所述切割道位于所述多个驱动芯片的所述非键合区内；
3.根据权利要求2所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述基于露出的外围电极制备得到微型发光器件，包括：
4.根据权利要求1所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述对去除基底露出的保护层进行处理，露出所述驱动芯片的外围电极，包括：
5.根据权利要求1所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述保护层具有固化状态和可流...
【技术特征摘要】
1.一种微型发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述多个驱动芯片之间设有切割道，所述切割道位于所述多个驱动芯片的所述非键合区内；
3.根据权利要求2所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述基于露出的外围电极制备得到微型发光器件，包括：
4.根据权利要求1所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述对去除基底露出的保护层进行处理，露出所述驱动芯片的外围电极，包括：
5.根据权利要求1所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述保护层具有固化状态和可流动状态；所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的微型发光器件的制作方法，其特征在于，所述在所述非键合区内所述驱动芯片设有所述外围电极的一侧上，形成保护层，包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：金天赋，邱成峰，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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