本发明专利技术提供了一种图像传感器，包括：衬底；传输栅极位于衬底上，浮动扩散区位于传输栅极一侧的衬底中；源跟随栅极位于衬底上，源跟随源区和源跟随漏区分别位于源跟随栅极两侧的衬底中；MOM电容位于传输栅极和源跟随栅极远离衬底的一侧，且浮动扩散区和源跟随源区通过MOM电容电连接。本发明专利技术中通过在浮动扩散区和源跟随源区之间接入MOM电容，能够降低浮动扩散区的寄生电容，增加浮动扩散区的电荷转换增益，提高器件信噪比，从而提高图像传感器的读取降噪能力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种图像传感器。
技术介绍
1、cmos图像传感器(complementarymetal oxide semiconductorimage sensor，cis)具有集成度高、供电的电压低和技术门槛低等优势，被广泛应用在消费电子，自动驾驶，生物识别或安防等领域。cis产品的噪声主要由散粒噪声、暗噪声和读出噪声组成，通常散粒噪声占比大，且与光照强度相关，光照强度与电荷量成正比。在低光应用中，暗噪声和读出噪声占比明显，为此增加浮动扩散(floating diffusion，fd)区的电荷转换增益(cg)，提高器件信噪比，是在低光应用中降低噪声的关键；若浮动扩散区的寄生电容较大，会影响浮动扩散区的电荷转换增益，最终影响图像传感器的读取降噪能力。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供图像传感器，增加浮动扩散区的电荷转换增益，提高图像传感器的读取降噪能力。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种图像传感器，包括：
3、衬底；
>4、传输栅极，位于本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述MOM电容包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部和所述第二金属部构成同层插指结构。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一金属部通过设有的第一电连接件与所述浮动扩散区电连接，所述第二金属部通过设有的第二电连接件与所述源跟随源区电连接。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述浮动扩散区包括第一P型掺杂区和第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区位于所述第一P型掺杂区的表面，所述第一金属部通过所述第一电连接件与所述第一N型掺杂区电连接。...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述mom电容包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部和所述第二金属部构成同层插指结构。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一金属部通过设有的第一电连接件与所述浮动扩散区电连接，所述第二金属部通过设有的第二电连接件与所述源跟随源区电连接。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述浮动扩散区包括第一p型掺杂区和第一n型掺杂区，所述第一n型掺杂区位于所述第一p型掺杂区的表面，所述第一金属部通过所述第一电连接件与所述第一n型掺杂区电连接。
5.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包括层间介质层和第一氧化层，所述层间介质层覆盖所述衬底、所述传输栅极和所述源跟随栅极，且所述层间介质层的表面平坦，所述第一氧化层位于所述层间介质层上。
6.如权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈芷若，杜重凯，陈辉，秋沉沉，
申请(专利权)人：华虹集成电路成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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