【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种刻蚀方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、cis(cmos image sensor，cmos图像传感器)是一种光学传感器，被广泛用于智能手机、相机和安防设备等。cis位于镜头和isp(image signal processor，图像信号处理器)之间，能够将透过镜头的光信号转换为isp能够处理的数字信号。cis的主要结构包括像素阵列、时序阵列、模拟信号处理和模数转换等模块，其中，像素阵列是cis的核心组件，占据cis的大部分面积，决定了整个图像的质量和性能。像素阵列可以看成是多个网格，工艺时，可以先通过光刻形成网格图案，再通过干法刻蚀将没有掩膜覆盖的部分刻蚀掉，而有掩膜覆盖的部分形成网格。为了提高成像清晰度，需要对网格的厚度及侧壁形貌进行严格控制。
2、通常，网格包括由上至下依次设置的掩膜层、金属材料层、金属化合物材料层、介质层和基底层，在采用相关技术提供的刻蚀方法以形成网格的过程中，存在金属材料层顶部横推严重的情形，致使金属材料层无法与上层的掩膜层平滑过渡，从而导致网格容易发生断裂
【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一牺牲层(201)和所述第二牺牲层(202)均为硅氧化物牺牲层。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步中，工艺压力为20～60mtorr；上射频功率为250～500W，下射频功率为0；工艺气体包括氧气、氦气和四氯化硅，其中，氧气的流量为10～100sccm，氦气的流量为150～200sccm，四氯化硅的流量为10～60sccm。
4.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步之后，还包括：金属材料层(102)刻蚀步...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一牺牲层(201)和所述第二牺牲层(202)均为硅氧化物牺牲层。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步中，工艺压力为20～60mtorr；上射频功率为250～500w，下射频功率为0；工艺气体包括氧气、氦气和四氯化硅，其中，氧气的流量为10～100sccm，氦气的流量为150～200sccm，四氯化硅的流量为10～60sccm。
4.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步之后，还包括：金属材料层(102)刻蚀步，以所述掩膜层(100)为掩膜刻蚀所述第一牺牲层(201)和所述金属材料层(102)；其中，工艺气体包括碳氟类气体。
5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述金属材料层(102)刻蚀步中，碳氟类气体为三氟甲烷。
6.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述金属材料层(102)刻蚀步中，工艺气体还包括六氟化硫和氧气，六氟化硫的流量为20～100sccm，氧气的流量为0～20sccm；上射频功率为400～700w，下射频功率为25～80w。
7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述金属材料层(102)刻蚀步中，工艺气体还包括氮气和氯气，其中，氮气的流量为0～50sccm，氯气的流...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金平，沈涛，李海岩，董云鹤，
申请(专利权)人：北京集成电路装备创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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