半导体工艺方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体工艺方法，涉及半导体制造工艺技术领域，以解决提高对沟槽内鳍部的刻蚀深度和维持沟槽侧壁的保护层之间存在矛盾的问题。半导体工艺方法包括：提供具有沟槽的膜层结构；第一刻蚀步，在第一工艺气体氛围中刻蚀鳍部的顶面所覆盖的第一SiN层；第二刻蚀步，在第二工艺气体氛围中刻蚀鳍部的顶面，以使鳍部的第一Si层暴露；第三刻蚀步，在第三工艺气体氛围中刻蚀第一Si层，以使第一Si层上端面低于第一绝缘层的顶面，且鳍部两侧的第二SiN层高于第一绝缘层顶面所覆盖的第三SiN层。其可以缓解提高对沟槽内鳍部的刻蚀深度和维持沟槽侧壁的保护层之间存在矛盾的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言，涉及一种半导体工艺方法。

技术介绍

1、等离子体刻蚀技术广泛应用于大规模集成电路，实现设计图案从光刻胶到晶圆的图形传递，完成半导体器件的构建。随着对处理性能与运算能力的不断追求，器件尺寸不断微缩，在14nm及以下制程的集成电路中，为了解决短沟道效应带来的漏电问题，晶体管结构从平面结场效应晶体管转变为具有三维立体栅结构的鳍式场效应晶体管（fin-fet，finfield effective transistor）。在fin-fet工艺过程中，需要对鳍部（fin）进行切断以完成结构的隔离，而部分鳍部的刻蚀则需要在铺设好的沟槽（trench）内刻蚀。当沟槽尺寸微缩到20nm以下时，由于沟槽内的空间较小，会增大沟槽内鳍部的刻蚀难度而难以保证对鳍部的刻蚀深度。但如果一味地改善对鳍部的刻蚀效果以保证刻蚀深度，也可能会消耗沟槽侧壁的保护层，而导致沟槽的关键尺寸（如槽宽）过大，关键尺寸过大则会导致周边结构失效，因此提高对沟槽内鳍部的刻蚀深度和维持沟槽侧壁的保护层之间存在着矛盾。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括CHF3和CF4，所述CHF3的流量大于所述CF4的流量。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述沟槽（10）的侧壁和非沟槽区域（30）的顶面均覆盖有SiN层；

4.根据权利要求3所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第一刻蚀步中：所述CF4的流量为25sccm~100sccm，所述CHF3的流量为50sccm~200sccm；所述第一工艺气体还包括Ar，所述Ar的流量为25sccm~200sccm；

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括chf3和cf4，所述chf3的流量大于所述cf4的流量。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述沟槽（10）的侧壁和非沟槽区域（30）的顶面均覆盖有sin层；

4.根据权利要求3所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第一刻蚀步中：所述cf4的流量为25sccm~100sccm，所述chf3的流量为50sccm~200sccm；所述第一工艺气体还包括ar，所述ar的流量为25sccm~200sccm；

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第二刻蚀步中，偏置功率采用脉冲模式。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第二工艺气体包括hbr和o2，o2流量小于hbr流量。

7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王印典，刘海鹰，朱海云，
申请(专利权)人：北京集成电路装备创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：