【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池,尤其涉及一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、钙钛矿太阳能电池可以利用太阳能产生电能,小面积器件的光电转换效率已超过26%。制备性能优异的钙钛矿太阳能电池,有利于推动其商业化进程。现有报道中大多数钙钛矿太阳能电池的制备在氮气中进行,对设备要求高,且制造成本高,实验流程复杂,不利于大规模生产。已有专利技术在大气环境中制备钙钛矿,但其结晶度仍有较大的提升空间。此外,钙钛矿中的缺陷会降低器件性能和稳定性,阻碍其大规模和长期应用。在钙钛矿结晶过程中,钙钛矿晶粒内部和晶界会产生缺陷,降低器件性能和稳定性,制约着钙钛矿器件的商业化发展。所以选用合适的添加剂,调控钙钛矿结晶,提升钙钛矿活性层的结晶质量,钝化缺陷,有助于提升器件性能和稳定性。目前,已有专利应用相关添加剂,如专利cn119012880a使用硫氰酸胍提升钙钛矿的结晶质量,专利cn118946172a使用硫氰酸甲脒增大钙钛矿晶粒尺寸。但这些专利的研究不够透彻,并且对于钙钛矿结晶质量的提升效果有限。已有专利cn119403419a使用硒氰
...【技术保护点】
1.一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括依次层叠的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底层、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层以及金属电极层,
2.根据权利要求1所述的一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿活性层的厚度为500nm~800nm。
3.一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,用于制备如权利要求1至2中任一项所述一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池,包括:
4.根据权利要求3所述的一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,
5.根据权
...【技术特征摘要】
1.一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括依次层叠的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底层、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层以及金属电极层,
2.根据权利要求1所述的一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿活性层的厚度为500nm~800nm。
3.一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,用于制备如权利要求1至2中任一项所述一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池,包括:
4.根据权利要求3所述的一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述二氧化锡胶体水溶液的质量浓度为2%~5%,所述反溶剂为非极性溶剂。
6.根据权利要求3所述的一种改善结晶降低缺陷的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿前驱体溶液包含碘化铯、...
【专利技术属性】
技术研发人员:王治伟,张羿,杨羽萱,
申请(专利权)人:中矿资源天津新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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