半导体结构及其形成方法技术

本公开关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成初始半导体结构，初始半导体结构包括衬底和形成于衬底上的第一导电层，衬底包括多个间隔分布的有源区；在第一导电层上形成应力缓冲层，在垂直于衬底的表面的方向上，且由靠近衬底的一侧指向远离衬底的一侧的方向上，应力缓冲层中的至少部分的应力依次增大；对应力缓冲层、第一导电层及有源区进行蚀刻，以形成接触槽；在应力缓冲层远离衬底的一侧形成导电材料层，导电材料层填充接触槽；去除位于应力缓冲层顶部的导电材料层，并使位于接触槽内的导电材料层的顶面与第一导电层的顶面齐平。本公开的形成方法，可减少结构缺陷，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、存储器因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。位线是存储器中的重要部件，然而，受制程工艺影响，易引发位线的结构缺陷，产品良率较低。

2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法，可减少结构缺陷，提高产品良率。

2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：

3、形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底和形成于所述衬底上的第一导电层，所述衬底包括多个间隔分布的有源区；

4、在所述第一导电层上形成应力缓冲层，在垂直于所述衬底的表面的方向上，且由靠近所述衬底的一侧指向远离所述衬底的一侧的方向上，所述应力缓冲层中的至少部分的应力依次增大；

5、对所述应力缓冲层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述第一导电层上形成应力缓冲层，在垂直于所述衬底的表面的方向上，且由靠近所述衬底的一侧指向远离所述衬底的一侧的方向上，所述应力缓冲层中的至少部分的应力依次增大，包括：

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一应力值为0.8GPa～1GPa；和/或，所述第二应力值为1.2GPa～1.5GPa。

4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一子应力缓冲层的厚度为9nm～11nm；和/或，所述第二子应力缓冲层的厚度为1.5nm～3.5n...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述第一导电层上形成应力缓冲层，在垂直于所述衬底的表面的方向上，且由靠近所述衬底的一侧指向远离所述衬底的一侧的方向上，所述应力缓冲层中的至少部分的应力依次增大，包括：

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一应力值为0.8gpa～1gpa；和/或，所述第二应力值为1.2gpa～1.5gpa。

4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一子应力缓冲层的厚度为9nm～11nm；和/或，所述第二子应力缓冲层的厚度为1.5nm～3.5nm；和/或，所述第三子应力缓冲层的厚度为19nm～21nm。

5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一子应力缓冲层、所述第二子应力缓冲层以及所述第三子应力缓冲层的材料均为氮碳化硅，所述第一子应力缓冲层的氮含量高于所述第二子应力缓冲层的最大氮含量和/或所述第三子应力缓冲层的氮含量；所述第三子应力缓冲层的碳含量高于所述第二子应力缓冲层的最大碳含量和/或所述第一子应力缓冲层的碳含量；在垂直于所述衬底的表面的方向上，且由靠近所述衬底的一侧指向远离所述衬底的一侧的方向上，所述第二子应力缓冲层中的氮含量依次减小，所述第二子应力缓冲层中的碳含量依次增大。

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思彤，
申请(专利权)人：长鑫集电北京存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：