深紫外Micro-LED芯片及其制备方法技术

本申请公开了深紫外Micro‑LED芯片及其制备方法，该深紫外Micro‑LED芯片包括基底，基底包括第一区域和环绕第一区域设置的第二区域；第一区域内和第二区域内包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、离位溅射AlN成核层、AlN缓冲层模板、AlN子层与AlxGa1‑xN子层交替排布的超晶格应力释放缓冲层、n‑AlyGa1‑yN过渡层、n‑AlzGa1‑zN电子发射层；第一区域内还包括：位于n‑AlzGa1‑zN电子发射层远离n‑AlyGa1‑yN过渡层一侧的层叠设置的AltGa1‑tN子层与AlmGa1‑mN子层交替排布的多量子阱有源层、p‑AlnGa1‑nN电子阻挡层、p‑AlkGa1‑kN空穴发射层和Mg掺杂的p‑GaN欧姆接触层；该深紫外Micro‑LED芯片还包括n型电极、p型电极、p型电极反射镜、钝化层、p型金属焊盘和n型金属焊盘。由此，该深紫外Micro‑LED芯片具有较低的接触电阻和较高的反射率，可极大程度上提升深紫外Micro‑LED的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体发光器件，具体地，涉及深紫外micro-led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、目前，深紫外消毒作为最广泛应用的物理消毒方法，主要利用uvc波段的紫外线破坏微生物的dna及rna结构，阻止其复制从而达到灭活效果。紫外消毒为纯物理过程，因此不会产生消毒副产物；此外，其维护简单，操作便捷，相对于化学方法成本较低。这其中以深紫外发光二极管(duv led)为代表的新型物理消毒方法在近几年异军突起，以其寿命长、效率高、能耗低、适应性强、稳定性高、响应速度快等优点，迅速成为替代汞灯的理想光源。

2、相关技术中，高al组分p-algan薄膜的mg掺杂是制约algan基深紫外led进一步发展的一大难题，这是因为mg受主杂质在高al组分p-algan薄膜中的溶解度低、活化能高以及自补偿效应显著而导致。

3、相较于algan材料，p-gan通常作为algan基深紫外led的接触层。然而，gan的禁带宽度为3.4ev，这使得gan对深紫外光有较高的吸收率，从而降低了器件的光提取效率。为了解决上述问题，研究人员尝试用对深紫外光高透明的p-本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种深紫外Micro-LED芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的深紫外Micro-LED芯片，其特征在于，所述Mg掺杂的p-GaN欧姆接触层包括10个-30个Mg掺杂的p-GaN子层；所述Mg掺杂的p-GaN欧姆接触层的厚度为3nm-10nm。

3.根据权利要求1或2所述的深紫外Micro-LED芯片，其特征在于，所述AlN缓冲层模板的厚度为2μm-5μm；和/或

4.根据权利要求1或2所述的深紫外Micro-LED芯片，其特征在于，所述n型电极的组分包括依次层叠设置的Ti、Al、Ti和Au；和/或

5.一种制备权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种深紫外micro-led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的深紫外micro-led芯片，其特征在于，所述mg掺杂的p-gan欧姆接触层包括10个-30个mg掺杂的p-gan子层；所述mg掺杂的p-gan欧姆接触层的厚度为3nm-10nm。

3.根据权利要求1或2所述的深紫外micro-led芯片，其特征在于，所述aln缓冲层模板的厚度为2μm-5μm；和/或

4.根据权利要求1或2所述的深紫外micro-led芯片，其特征在于，所述n型电极的组分包括依次层叠设置的ti、al、ti和au；和/或

5.一种制备权利要求1-4中任一项所述深紫外micro-led芯片的方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述mg掺杂的p-gan欧姆接触层中g...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，刘旭，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：