温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了深紫外Micro‑LED芯片及其制备方法，该深紫外Micro‑LED芯片包括基底，基底包括第一区域和环绕第一区域设置的第二区域；第一区域内和第二区域内包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、离位溅射AlN成核层、AlN缓冲层模板、AlN子...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。