本申请公开了一种非易失性两端存储单元及其制备方法。其中，非易失性两端存储单元包括：下电极结构；位于所述下电极结构上，由下至上层叠设置的第一下电极层、阻变层以及上电极层；其中，所述阻变层上具有沿层叠方向贯穿所述阻变层的第一间隔部，所述阻变层被所述第一间隔部划分为第一区域和第二区域；所述第一下电极层上具有沿层叠方向贯穿所述第一下电极层的第二间隔部；所述第一下电极层被所述第二间隔部划分为第三区域和第四区域。通过实施本申请，有效提升了非易失性两端存储单元的使用寿命和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本申请一般涉及半导体领域。更具体地，本申请涉及一种非易失性两端存储单元及其制备方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。当电源被中断时，易失性存储器装置会丢失所存储的数据，而非易失性存储器装置不会丢失所存储的数据。
2、非易失性两端存储器代表集成电路
内的最近创新。不同于非易失性三端存储器(如nor flash或nand flash)通过控制栅极端子来调控另外两个端子之间的导电性，非易失性两端存储器一般包括串联连接的非易失性两端存储单元以及选通部，其中，非易失性两端存储单元包括第一电极(例如上电极te)、第二电极(例如，下电极be)、以及置于第一电极还有第二电极之间的阻变层，非易失性两端存储器通过在两个电极端子上施加不同电信号来控制阻变层的导电性状态发生变换，从而在两个电极端子之间形成不同导电性状态。
3、多种非易失性两端存储技术(例如，电阻型开关存储器、磁阻型存储器、铁电存储器，相变存储器，导电桥接存储器)有令人信服的证据来表明在半导体电子工业中比竞争性技术有大量优势。以阻变存储器本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种非易失性两端存储单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述第一间隔部和所述第二间隔部被第一绝缘材料填满。
3.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述非易失性两端存储单元还包括：第一导电金属层；所述第一导电金属层位于所述上电极层上方，所述第一导电金属层靠近所述上电极层的一侧包括第一突出部，所述第一突出部与所述上电极层连接。
4.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述上电极层的两个侧边均设置有保护层；所述保护层的材料为第二绝缘材料。
>5.根据权利要求4...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性两端存储单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述第一间隔部和所述第二间隔部被第一绝缘材料填满。
3.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述非易失性两端存储单元还包括：第一导电金属层；所述第一导电金属层位于所述上电极层上方，所述第一导电金属层靠近所述上电极层的一侧包括第一突出部，所述第一突出部与所述上电极层连接。
4.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述上电极层的两个侧边均设置有保护层；所述保护层的材料为第二绝缘材料。
5.根据权利要求4所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述上电极层的两个侧边与所述保护层之间还设置有阻变层。
6.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述第一间隔部的中心点与所述第二间隔部的中心点在所述层叠方向的同一条直线上。
7.根据权利要求1所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述上电极层上具有沿层叠方向贯穿所述上电极层的第三间隔部；所述上电极层被所述第三间隔部划分为第五区域和第六区域。
8.根据权利要求7所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述第五区域的两个侧边以及所述第六区域的两个侧边均设置有保护层；所述保护层的材料为第二绝缘材料。
9.根据权利要求8所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述第五区域的两个侧边与所述保护层之间设置有阻变层；所述第六区域的两个侧边与所述保护层之间设置有阻变层。
10.根据权利要求7所述的非易失性两端存储单元，其特征在于，所述非易失性两端存储单元还包括：第二导电金属层和第三导电金属层；所述第二导电金属层位于所述第五区域上方，所述第二导电金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔夫龙，张适杰，赵刘明，崔凯，王甜，
申请(专利权)人：昕原半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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