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本申请公开了一种非易失性两端存储单元及其制备方法。其中，非易失性两端存储单元包括：下电极结构；位于所述下电极结构上，由下至上层叠设置的第一下电极层、阻变层以及上电极层；其中，所述阻变层上具有沿层叠方向贯穿所述阻变层的第一间隔部，所述阻变层被...
该专利属于昕原半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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