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本公开关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成初始半导体结构，初始半导体结构包括衬底和形成于衬底上的第一导电层，衬底包括多个间隔分布的有源区；在第一导电层上形成应力缓冲层，在垂直于衬底的表面的方向上，且由靠近衬...
该专利属于长鑫集电（北京）存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫集电（北京）存储技术有限公司授权不得商用。

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