【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体是一种导流件、半导体工艺设备及其控制方法。
技术介绍
1、相关技术中，流体通过导流结构进行导流时，会有部分流体粘附在导流结构的表面，影响导流效率，若流体中易结晶的溶质在导流结构的表面结晶还会进一步影响导流结构的导流效果，使得导流结构无法正常导流流体。
2、公开内容
3、为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种导流件、半导体工艺设备及其控制方法。
4、根据本公开实施例的第一方面，提供一种导流件，所述导流件包括：
5、环形导流结构，所述环形导流结构包括环形导流面，所述环形导流面的径向内边缘围合形成供旋转载物台穿过的开口，沿径向向外的方向，所述环形导流面向下倾斜设置；
6、环形挡流壁，与所述环形导流结构的径向外边缘相连，所述环形挡流壁与所述环形导流结构围合形成导流腔。
7、本公开的一些实施例中，所述环形导流面在预设截面下的顶端点和底端点的连线与水平面之间具有夹角α，30°≤α≤50°；
8、其中，所述预设截面为经过所述环形导流结构的中轴
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1.一种导流件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的导流件，其特征在于，所述环形导流面在预设截面下的顶端点和底端点的连线与水平面之间具有夹角α，30°≤α≤50°；
3.根据权利要求1所述的导流件，其特征在于，所述环形导流面包括沿周向设置的多个彼此连接的导流单元，在周向上，所述导流单元的中间区域的高度低于所述导流单元的两端区域的高度，且任意相邻的两个所述导流单元的连接为无缝隙连接且为密封连接。
4.根据权利要求3所述的导流件，其特征在于，所述导流单元包括：
5.根据权利要求3所述的导流件，其特征在于，在沿所述周向...
【技术特征摘要】
1.一种导流件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的导流件，其特征在于，所述环形导流面在预设截面下的顶端点和底端点的连线与水平面之间具有夹角α，30°≤α≤50°；
3.根据权利要求1所述的导流件，其特征在于，所述环形导流面包括沿周向设置的多个彼此连接的导流单元，在周向上，所述导流单元的中间区域的高度低于所述导流单元的两端区域的高度，且任意相邻的两个所述导流单元的连接为无缝隙连接且为密封连接。
4.根据权利要求3所述的导流件，其特征在于，所述导流单元包括：
5.根据权利要求3所述的导流件，其特征在于，在沿所述周向上的所述两端区域向所述中间区域的方向上，所述导流单元各点处的曲率半径逐渐增大。
6.根据权利要求1-5任一项所述的导流件，其特征在于，所述导流件还包括：
7.根据权利要求6所述的导流件，其特征在于，所述振动装置包括超声波装置，所述超声波装置发出的超声波的频率为50-80khz，所述超声波装置的振动部与所述环形导流结构分离设置。
8.根据权利要求1-5任一项所述的导流件，其特征在于，所述导流件还包括：
9.根据权利要求8所述的导流...
【专利技术属性】
技术研发人员：武朝阳，
申请(专利权)人：长鑫集电北京存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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