【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种晶体管器件及其制备方法。
技术介绍
1、存储器是计算机结构的重要组成部分，具有记忆的功能。晶体管是一种半导体器件，可以用来构建存储器，例如可以用来构建dram（dynamic random access memory，动态随机存取存储器）或者sram（static random access memory，静态随机存取存储器）。对于dram，可以通过一个晶体管和一个电容来存储每一个数据位。为了增大存储器的存储容量，一个存储器通常需要由很多个晶体管来构建。
2、晶体管通常包括阱区以及位于阱区中的源漏极，源漏极与阱区之间会产生耗尽层，耗尽层能够阻止源漏极与阱区之间的导通，但也会导致晶体管漏电流的产生。
3、随着存储器的集成度的增加，晶体管尺寸进一步缩小，在静态和工作状态下，漏电流增加，导致晶体管的关态性能变差，增大静态功耗，从而降低晶体管的性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种晶体管器件及其制备方法，至少能够降低晶体管的漏电流
2、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述阻挡层与所述源极区的全部底面相接触以及与所述漏极区的全部底面相接触，且位于所述源极区底面的所述阻挡层和位于所述漏极区底面的所述阻挡层在彼此靠近方向上的侧面均与所述阱区相接触，且沿所述衬底的厚度方向上，位于所述源极区底面的所述阻挡层靠近所述漏极区的侧面与所述源极区靠近所述漏极区的侧面共面，位于所述漏极区底面的所述阻挡层靠近所述源极区的侧面与所述漏极区靠近所述源极区的侧面共面。
3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述阻挡层与所述源极区的部分底面...
【技术特征摘要】
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述阻挡层与所述源极区的全部底面相接触以及与所述漏极区的全部底面相接触，且位于所述源极区底面的所述阻挡层和位于所述漏极区底面的所述阻挡层在彼此靠近方向上的侧面均与所述阱区相接触，且沿所述衬底的厚度方向上，位于所述源极区底面的所述阻挡层靠近所述漏极区的侧面与所述源极区靠近所述漏极区的侧面共面，位于所述漏极区底面的所述阻挡层靠近所述源极区的侧面与所述漏极区靠近所述源极区的侧面共面。
3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述阻挡层与所述源极区的部分底面相接触以及与所述漏极区的部分底面相接触，在沿所述源极区指向所述漏极区的水平方向上，位于所述源极区底面的所述阻挡层的宽度与所述源极区的宽度的比值至少为2/3，位于所述漏极区底面的所述阻挡层的宽度与所述漏极区的宽度的比值至少为2/3；以及，
4.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述阻挡层还覆盖所述源极区和所述漏极区在彼此远离方向上的侧面。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管器件，其特征在于，在沿所述衬底的厚度方向且沿所述源极区或者所述漏极区指向所述阻挡层的方向上，所述阱区内的掺杂元素的掺杂浓度逐渐增大。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管器件，其特征在于，在沿所述衬底的厚度方向上，位于所述源极区底面的所述阻挡层的厚度与所述源极区的厚度的比值范围为（1.5~2）:1，位于所述漏极区底面的所述阻挡层的厚度与所述漏极区的厚度的比值范围为（1.5~2）:1，位于所述源极区底面的所述阻挡层的厚度与位于所述漏极区底面的所述阻挡层的厚度相等，所述源极区的厚度与所述漏极区的厚度相等。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管器件，其特征在于，在沿所述衬底的厚度方向上，位于所述源极区底面的所述阻挡层的厚度与所述源极区的厚度之和为a，位于所述漏极区底面的所述阻挡层的厚度与所述漏极区的厚度之和为b，所述衬底的厚度为h，其中，
8.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管器件，其特征在于，所述阱区的材料与所述源极区以及所述漏极区的材料不同，所述阱区的材料包括硅，所述源极区的材料包括多晶硅，所述漏极区的材料包括多晶硅，所述阻挡层的材料包括绝缘材料。
9.一种晶体管器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪状，
申请(专利权)人：长鑫集电北京存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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