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本公开实施例涉及一种晶体管器件及其制备方法，晶体管器件包括：位于阱区上的间隔设置的源极区和漏极区，阱区围绕源极区和漏极区的侧面及底面，位于源极区和漏极区在彼此靠近方向上的侧面之间的阱区填满源极区和漏极区之间的间隙，并与源极区和漏极区在彼此靠...
该专利属于长鑫集电（北京）存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫集电（北京）存储技术有限公司授权不得商用。

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