一种半导体设备及其清洁方法技术

本公开提供了一种半导体设备及其清洁方法，半导体设备包括反应腔室、进料管路、排料管路和旁通管路，旁通管路的两端分别与进料管路和排料管路相连，旁通管路上设置有旁路驱动单元。本公开中，设置于旁通管路的旁路驱动单元能够对旁通管路内残留的第二物料施加驱动力，以加速第二物料流向排料管路并通过排料管路排出，避免第二物料滞留在旁通管路内导致旁通管路的孔径变小造成堵塞。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体设备及其清洁方法。

技术介绍

1、在半导体设备工作过程中会产生一些副产物，随着工作时间的增加，副产物会在半导体设备管路中不断堆积，导致半导体设备管路物料流通不畅，管路内压力增加，影响设备正常工作。

2、目前，通常需要定期将管路拆解后清理管道内部，严重影响设备的回线时间进而导致生产效率降低。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开的第一方面，提供了一种半导体设备，包括：

3、反应腔室；

4、进料管路，与反应腔室相连；

5、排料管路，与反应腔室相连，排料管路用于排出反应腔室中残留的第一物料；

6、旁通管路，旁通管路的两端分别与进料管路和排料管路相连，旁通管路上设置有旁路驱动单元，旁路驱动单元被配置为：在旁通管路处于导通状态时，对旁通管路中残留的第二物料施加驱动力以加速第二物料流向排料管路并通过排料管路排出，以避免第二物料滞留于旁通管路内导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括加热单元，所述加热单元设置于所述旁通管路上。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述加热单元设置于所述旁路驱动单元与所述排料管路之间的所述旁通管路上。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述反应腔室处于工艺状态时，所述加热单元的加热温度为120-180℃；和/或，

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述进料管路包括第一进料管路，所述第一进料管路与所述反应腔室和所述旁通管路相连，所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括加热单元，所述加热单元设置于所述旁通管路上。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述加热单元设置于所述旁路驱动单元与所述排料管路之间的所述旁通管路上。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述反应腔室处于工艺状态时，所述加热单元的加热温度为120-180℃；和/或，

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述进料管路包括第一进料管路，所述第一进料管路与所述反应腔室和所述旁通管路相连，所述第一进料管路被配置为在所述反应腔室处于工艺状态时向所述反应腔室输送反应用气体；所述旁通管路包括相连的主干路和第一支路，所述主干路的远离所述第一支路的一端与所述排料管路相连，所述第一支路的远离所述主干路的一端与所述第一进料管路相连，所述旁路驱动单元设置于所述主干路，所述第一支路上设置有第一阀门；

6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述进料管路还包括第二进料管路，所述第二进料管路与所述反应腔室和所述旁通管路相连，所述第二进料管路被配置为在所述反应腔室处于闲置状态时向所述反应腔室和/或所述旁通管路输送清洁用气体；

7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述旁路驱动单元设置于所述主干路。

8.根据权利要求1-4任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括废物回收单元，所述废物回收单元设置于所述排料管路的末端并与所述排料管路相连，所述排料管路上设置有主驱动单元，所述主驱动单元位于所述排料管路靠近所述废物回收单元的一端，用于驱动所述排料管路中的第一物料流向所述废物回收单元。

9.根据权利要求8所述的半导体设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毅，
申请(专利权)人：长鑫集电北京存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：