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本发明提供了一种半导体工艺方法，涉及半导体制造工艺技术领域，以解决提高对沟槽内鳍部的刻蚀深度和维持沟槽侧壁的保护层之间存在矛盾的问题。半导体工艺方法包括：提供具有沟槽的膜层结构；第一刻蚀步，在第一工艺气体氛围中刻蚀鳍部的顶面所覆盖的第一Si...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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