【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种光刻返工方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，金属硬掩膜层(尤其是氮化钛层)作为关键的图形转移中间层，凭借其高硬度、优良的化学稳定性等优良性能，被广泛应用于先进制程中。刻蚀金属硬掩膜层前的光刻工艺是半导体制造的核心环节，其通过光刻胶的化学反应实现电路图案的转移与复制，对器件性能和精度起着决定性作用。
2、然而，随着半导体制程不断缩小，光刻工艺要求日益提高。由于光刻过程复杂且易受多种因素影响，可能出现曝光不足、显影缺陷、图案畸变以及其他工艺偏差等问题，导致产品的关键尺寸(criticaldimension,cd)无法满足设计要求，进而使得产品不符合质量标准。这种情况下，在刻蚀金属硬掩膜层前进行光刻返工工艺，能够减少缺陷，是挽救有缺陷晶圆、提高半导体制造效率和良品率的重要手段。然而，相关技术中的光刻返工工艺容易引发产品线宽的较大变化，导致晶圆最终良品率较低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种光刻返工方法及半导...
【技术保护点】
1.一种光刻返工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻返工方法，其特征在于，所述等离子体灼烧步包括：
3.根据权利要求2所述的光刻返工方法，其特征在于，在所述清洁步之前，所述等离子体灼烧步还包括：
4.根据权利要求1所述的光刻返工方法，其特征在于，所述无晶圆清洁步包括：
5.根据权利要求4所述的光刻返工方法，其特征在于，在所述转化步之后，所述无晶圆清洁步还包括：
6.根据权利要求4所述的光刻返工方法，其特征在于，在所述转化步之前，所述无晶圆清洁步还包括：
7.根据权利要求1-6任一...
【技术特征摘要】
1.一种光刻返工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻返工方法，其特征在于，所述等离子体灼烧步包括：
3.根据权利要求2所述的光刻返工方法，其特征在于，在所述清洁步之前，所述等离子体灼烧步还包括：
4.根据权利要求1所述的光刻返工方法，其特征在于，所述无晶圆清洁步包括：
5.根据权利要求4所述的光刻返工方法，其特征在于，在所述转化步之后，所述无晶圆清洁步还包括：
6.根据权利要求4所述的光刻返工方法，其特征在于，在所述转化步之前，所述无晶圆清洁步还包括：
7.根据权利要求1-6任一项所述的光刻返工方法，其特征在于，所述等离子体灼烧步中，工艺气体包括o2或nf...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱子镝，罗永坚，朱文明，戚利，
申请(专利权)人：北京集成电路装备创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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