通孔的制作方法技术

本发明专利技术提供一种通孔的制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底内形成金属层，在衬底上依次形成阻挡层和介质层；在介质层上形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，对介质层与阻挡层进行第一次刻蚀，至剩余部分厚度的阻挡层；去除图形化的光刻胶层；以刻蚀之后的介质层为掩膜对剩余的阻挡层进行第二次刻蚀，至形成暴露金属层的通孔。本发明专利技术去除图形化的光刻胶层时金属层并没有暴露出来，金属层并不会被氧化，因此后续并不会发生金属材料析出的情况，从而提高了器件的性能，同时降低了工艺难度，节省了工艺步骤，且不需要增加不同机型的机台，降低了成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路，特别涉及一种通孔的制作方法。

技术介绍

1、铜工艺具有电阻低、导电性好的优点，可以提高芯片速度，降低rc延迟，使得内连接导线在具有同等甚至更强电流承载能力的同时还可以做得更小更密集。铜工艺是采用嵌入式得到图形化的导线，上下层铜导线之间通过通孔连接。通常的制作方法是在对铜金属进行平坦化处理和清洗后，再沉积上一层氮掺杂碳化硅(nitride doped siliconcarbide，ndc)层，然后沉积一层氧化硅层，以作为上下铜导线之间的层间介质层，之后对层间介质层进行刻蚀形成暴露铜导线的通孔。

2、在对层间介质层进行刻蚀时，在层间介质层上形成图形化的光刻胶层，以图形化的光刻胶层为掩膜对所述层间介质层进行刻蚀至暴露出铜金属，然后去除图形化的光刻胶层。然而高温去胶时铜会被氧化成氧化铜或氧化亚铜，后续经过湿法刻蚀之后酸液会将氧化铜或氧化亚铜还原成铜，造成铜析出，对器件性能以及最后的wat(wafer acceptancetest，晶圆接受测试)造成影响。

3、现有的解决方案是采用氮化钛代替光刻胶层作为掩膜层，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中所述阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比大于所述第一次刻蚀中所述阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比。

3.根据权利要求2所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中，所述阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比大于等于3:1。

4.根据权利要求1所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀中，刻蚀气体包括CF4与N2。

5.根据权利要求1所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中，刻蚀气体包括CH2F2与O2。

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【技术特征摘要】

1.一种通孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中所述阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比大于所述第一次刻蚀中所述阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比。

3.根据权利要求2所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中，所述阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比大于等于3:1。

4.根据权利要求1所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀中，刻蚀气体包括cf4与n2。

5.根据权利要求1所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中，刻蚀气体包括ch2f2与o2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，司卫民，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：