【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工制造，特别涉及一种除水装置和半导体设备。
技术介绍
1、半导体加工制造
的很多制程需要在真空的制程腔中进行，制程腔的真空度越高，则制程腔的内部环境越纯净，制程腔中的杂质越少。随着高端制程的发展对制程腔的内部环境的纯净度要求越来越高，真空腔制程的应用也越来越广泛。
2、由于水汽在大气中客观存在，在制程腔开腔维护时，制程腔势必会与大气连通，大气中的水汽会进入制程腔内。此外，在制程腔的腔体维护或者刷腔时也会有水汽残留在制程腔内，制程腔中的水汽在真空条件下很难被抽走，需要长时间排气才能使水汽慢慢逐步减少。
3、制程腔中残留的水汽会与制程气体反应从而使制程变得不可控，此外，在高电压制程腔中，制程腔内的水汽还会引发放电，从而带来极大的安全隐患。
4、需要说明的是，公开于该技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本技术的目...
【技术保护点】
1.一种除水装置，其特征在于，包括壳体、冷却管道、冷却组件以及排气管道，所述壳体的内部具有能够与制程腔相连通的冷却腔，所述冷却组件位于所述冷却腔内；
2.根据权利要求1所述的除水装置，其特征在于，还包括能够将所述冷却腔与所述制程腔相隔离的隔离阀，所述隔离阀的一端与所述冷却腔相连通，所述隔离阀的另一端用于与所述制程腔相连通。
3.根据权利要求1所述的除水装置，其特征在于，还包括与所述壳体相连的法兰，所述法兰设于所述壳体的顶部。
4.根据权利要求1所述的除水装置，其特征在于，还包括再生管道，所述再生管道的一端与所述冷却腔相连通，所述再生...
【技术特征摘要】
1.一种除水装置，其特征在于，包括壳体、冷却管道、冷却组件以及排气管道，所述壳体的内部具有能够与制程腔相连通的冷却腔，所述冷却组件位于所述冷却腔内；
2.根据权利要求1所述的除水装置，其特征在于，还包括能够将所述冷却腔与所述制程腔相隔离的隔离阀，所述隔离阀的一端与所述冷却腔相连通，所述隔离阀的另一端用于与所述制程腔相连通。
3.根据权利要求1所述的除水装置，其特征在于，还包括与所述壳体相连的法兰，所述法兰设于所述壳体的顶部。
4.根据权利要求1所述的除水装置，其特征在于，还包括再生管道，所述再生管道的一端与所述冷却腔相连通，所述再生管道的另一端用于与能够提供加热后的再生气体的气源相连通。
5.根据权利要求4所述的除水装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏文华，刘磊，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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