沟槽型MOSFET器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种沟槽型MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括：提供基底，在基底内形成多个第一沟槽，在第一沟槽内形成源极多晶硅层与栅极多晶硅层；形成氧化层，第一区域的厚度大于第二区域的厚度；形成层间介质层，在相邻两个第一区域之间的第二区域内形成凹槽；形成掩膜层，覆盖凹槽底部的掩膜层的厚度小于其余区域的厚度；去除凹槽底部的掩膜层；以剩余的掩膜层为掩膜对凹槽内的层间介质层进行刻蚀形成第一接触孔。本发明专利技术利用栅极多晶硅层与基底的氧化速率的不同在第一区域与第二区域形成厚度不同的氧化层，在后续层间介质层沉积后利用自对准方式形成第一接触孔，并无需进行光刻工艺，解决了由于光刻工艺导致的接触孔套刻精度偏移的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路，特别涉及一种沟槽型mosfet器件及其制作方法。

技术介绍

1、在中低压沟槽型mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或mos管)器件中，由于元胞间距(pitch)较小，导致接触孔(ct)与沟槽(trench)之间的空间余量(spacewindow)非常有限。这种情况下，接触孔套刻精度(ct ovl)的微小偏差会显著影响器件的阈值电压(vth)和导通电阻(rdson)等关键电性参数，使得工艺窗口变得非常敏感。而在接触孔对位过程中受限于前层晶圆平整度/翘曲和光刻对位精度影响，经常发生接触孔套刻精度严重偏移的问题，目前光刻套刻精度偏移基本没有有效的改善方法。

2、现有技术中一般通过提前收集光刻过程的数据并补值来改善接触孔套刻精度偏移，然而该方法具有局限性，套刻精度差的区域会变好，但套刻精度好的区域会变差。并且该补值的应用前提条件是需要来料晶圆的套刻精度偏差残留都是相同的表现，另外只能改善部分偏移，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽型MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件的制作方法，其特征在于，去除所述凹槽底部的所述掩膜层，其余区域保留有部分厚度的所述掩膜层的方法包括：采用各向异性干法刻蚀工艺对所述掩膜层进行刻蚀，至去除所述凹槽底部的所述掩膜层，其余区域保留有部分厚度的所述掩膜层。

3.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述第一区域的所述氧化层的厚度是所述第二区域的所述氧化层厚度的2～3倍；所述凹槽底部的所述掩膜层的厚度是所述第一区域的所述掩膜层厚度的40％～70％。

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【技术特征摘要】

1.一种沟槽型mosfet器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet器件的制作方法，其特征在于，去除所述凹槽底部的所述掩膜层，其余区域保留有部分厚度的所述掩膜层的方法包括：采用各向异性干法刻蚀工艺对所述掩膜层进行刻蚀，至去除所述凹槽底部的所述掩膜层，其余区域保留有部分厚度的所述掩膜层。

3.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet器件的制作方法，其特征在于，所述第一区域的所述氧化层的厚度是所述第二区域的所述氧化层厚度的2～3倍；所述凹槽底部的所述掩膜层的厚度是所述第一区域的所述掩膜层厚度的40％～70％。

4.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet器件的制作方法，其特征在于，所述层间介质层包括氧化硅层，所述掩膜层包括氮化硅层或氮化硅层与氧化硅层的叠层。

5.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet器件的制作方法，其特征在于，所述源极多晶硅层与所述第一凹槽的侧壁及底部之间形成有屏蔽栅介质层，所述源极多晶硅层与所述栅极多晶硅层之间形成有栅极隔离层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰总金，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：