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本发明提供一种沟槽型MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括：提供基底，在基底内形成多个第一沟槽，在第一沟槽内形成源极多晶硅层与栅极多晶硅层；形成氧化层，第一区域的厚度大于第二区域的厚度；形成层间介质层，在相邻两个第一区域之间的第二区域内...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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