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本发明提供一种通孔的制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底内形成金属层，在衬底上依次形成阻挡层和介质层；在介质层上形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，对介质层与阻挡层进行第一次刻蚀，至剩余部分厚度的阻挡层；去除图形化的光刻胶层...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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