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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种光刻返工方法及半导体工艺设备。光刻返工方法包括：等离子体灼烧步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，以使等离子体与工艺腔室内的残留物质反应；无晶圆清洁步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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