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本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，为解决采用相关技术提供的刻蚀方法以形成网格的过程中，存在金属材料层顶部横推严重的情形，致使金属材料层无法与上层的掩膜层平滑过渡的问题。该刻蚀方法包括提供半导体器件，半导体器件包括...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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