LDMOS器件制造技术

本发明专利技术提供一种LDMOS器件，衬底内包括掺杂类型不同的第一阱区和第二阱区，并且第一阱区和第二阱区具有重叠区域；沟道区横跨第一阱区和第二阱区，沟道区与第一阱区重叠，且沟道区与和第二阱区的重叠，减小沟道区与第一阱区的重叠长度并增大沟道区与第二阱区的重叠长度，且沟道区与第一阱区的重叠长度小于所述沟道区与所述第二阱区的重叠长度；栅极位于沟道区上方。本发明专利技术通过调节LDMOS器件的沟道区和第一阱区重叠区域、沟道区和第二阱区重叠区域的设计尺寸，减小沟道区与第一阱区的重叠长度并增大沟道区与第二阱区的重叠长度，LDMOS器件的沟道区电场明显减弱，热载流子注入寿命提升，提高了LDMOS器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种ldmos器件。

技术介绍

1、kirk效应是高压功率器件(如ldmos)在高电流密度下工作时出现的一种现象。也即当漏极电流非常大时，漂移区中的载流子(电子)密度非常高。如此高的电荷密度会显著改变漂移区中的电场分布，导致高电场峰值点向漏极方向移动。这种电场分布的改变通常会导致器件的击穿电压降低，尤其是在器件接近或进入饱和工作区时。这是一个限制器件最大工作电压和功率处理能力的严重问题。在ldmos器件设计中，tsk(trench source kirkeffect，源极沟槽kirk效应)指的是一种专门设计的源极沟槽结构。其核心目标是通过优化电场分布来对抗或减轻高电流工作下由kirk效应引起的击穿电压下降问题，从而提升高压、高功率ldmos器件的性能和可靠性。

2、在标准ldmos器件的tsk设计中，drift channellength(漂移区长度)尺寸偏小，导致沟道阻值偏小，电场过强，显著降低可靠性hci(hot carrier injection，热载流子注入)测试寿命，不能达到re(reliability本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述沟道区与所述第一阱区的重叠长度为第一预设值，所述第一阱区和所述第二阱区的重叠长度为第二预设值，所述沟道区与和所述第二阱区的重叠长度为第三预设值。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一预设值为0.3微米至0.4微米，所述第二预设值为0.2微米至0.3微米，所述第三预设值为0.46微米至0.56微米。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极上形成有金属层，所述金属层内设置有多个保护二极管与所述栅极连接。

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【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述沟道区与所述第一阱区的重叠长度为第一预设值，所述第一阱区和所述第二阱区的重叠长度为第二预设值，所述沟道区与和所述第二阱区的重叠长度为第三预设值。

3.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，所述第一预设值为0.3微米至0.4微米，所述第二预设值为0.2微米至0.3微米，所述第三预设值为0.46微米至0.56微米。

4.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述栅极上形成有金属层，所述金属层内设置有多个保护二极管与所述栅极连接。

5.根据权利要求4所述的ldmos器件，其特征在于，所述保护二极管的数量为20至40。

6.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述衬底内还形成有浅沟槽隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：李扬，黄然，
申请(专利权)人：华虹集成电路成都有限公司，
类型：发明
国别省市：