【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产领域，特别涉及一种测试结构、失效定位方法以及失效分析方法。
技术介绍
1、在半导体工艺研发过程中，测试结构设计人员会针对生产线上各种可能的失效，设计出不同的测试结构，用于侦测工艺窗口、制程稳定性以及发现缺陷。但是，他们在设计这些测试结构的时候，往往不会考虑到测试结构发生失效后，失效分析人员找到失效点的难度。这导致很多测试结构发生失效后，失效分析人员使用各种现有的分析技术和手段，仍然难以找到问题根源。
2、请参考图1，以存储产品中一个测试和模拟位线(bit line)短路的结构为例，测试结构由多条位线和字线(word line)组成，每条位线的有源区都为n+掺杂区，基底为p阱，且所述有源区表面都形成有一层金属硅化物层，然后所述有源区通过接触插塞(contacthole，ct)由第一层金属m1连接。当两条相邻的bit line发生短路时，就需要失效分析人员定位出这两条bit line中的word line地址(短路位置)。
3、目前，失效分析的主要方法是光致阻抗变化显微镜(optical be...
【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括多晶硅层，所述多晶硅层位于所述第一有源区和所述第二有源区的上方。
3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构为多层结构，所述第一梳状结构和所述第二梳状结构包括M1金属层，所述M1金属层位于所述多晶硅层的上一层。
4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述梳背子结构和所述梳齿子结构相互垂直，且所述第一梳状结构和所述第二梳状结构中的所述梳背子结构沿所述第二方向相互平行设置。
5.如权利要求1所述的测试结构，...
【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括多晶硅层，所述多晶硅层位于所述第一有源区和所述第二有源区的上方。
3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构为多层结构，所述第一梳状结构和所述第二梳状结构包括m1金属层，所述m1金属层位于所述多晶硅层的上一层。
4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述梳背子结构和所述梳齿子结构相互垂直，且所述第一梳状结构和所述第二梳状结构中的所述梳背子结构沿所述第二方向相互平行设置。
5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：
6.如权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：武城，段淑卿，高金德，
申请(专利权)人：华虹集成电路成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。