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本发明提供了一种测试结构、失效定位方法以及失效分析方法，应用于半导体生产领域。在本发明中，通过在第一有源区上形成金属硅化物层，同时在第二有源区上不形成金属硅化物层，以使所述第一有源区和所述第二有源区中正常状态下的接触插塞在电压衬度图像中呈现...
该专利属于华虹集成电路（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹集成电路（成都）有限公司授权不得商用。

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