本发明专利技术涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆，本发明专利技术将金属走线进行分层布设，并设置预设间距进行隔离；在划片槽的交叉处通过通孔实现不同金属层的金属走线之间的跳线连接，多层金属走线实现高密度信号传输，通过对金属走线的跨层跳线和间距隔离设置可防止在划片时两个相邻的金属线因为切割挤压从而短路在一起。本发明专利技术通过分层金属布线结构及间隔布线，实现了对晶圆上数千颗芯片的高效数据烧录，该方法显著降低了寄生电容和短路风险，同时提高了晶圆利用率和烧录效率，芯片阵列的数量和分组方式可根据需求灵活调整，适用于不同规模的芯片制造需求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别是涉及一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆。
技术介绍
1、在集成电路制造过程中，芯片数据的烧录是一个关键步骤。在传统的芯片数据烧录方法中，一次只能烧录一颗或者几十颗，例如在特定的夹具上一次一颗进行烧录，onewire传输线上挂多颗芯片进行数据烧录，用串行外设接口(serial peripheralinterface，简写为spi)等协议可以实现一次烧录多颗芯片。如果要进一步提高效率、降低成本，则上述的烧录方法均不能满足要求，存在驱动能力有限，通常只能支持少量芯片的数据同时烧录，至多几十上百颗。
2、对于晶圆级一次烧录上千颗芯片的要求，传统方法需要将芯片切割封装后再进行烧录，此种烧录方式需要先通过夹具烧写一颗芯片再机械的换下一颗芯片，效率低下且成本高昂。此外，芯片封装后焊接在印制电路板（printed circuit board，简写为pcb）上会引入较大的寄生电容，进一步限制了数据烧录接口的驱动能力。
3、鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。
r/>技本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，在晶圆的划片槽中依次设置第一金属层、第二金属层、第三金属层、以及第四金属层；其中，所述第一金属层用于承载电源线、地线及数据线；
4.根据权利要求3所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，在所述第三金属层和所述第四金属层之间设置通孔层以实现金属层在纵向上的隔离。
5.根据权利要求3所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，相邻金属走线...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，在晶圆的划片槽中依次设置第一金属层、第二金属层、第三金属层、以及第四金属层；其中，所述第一金属层用于承载电源线、地线及数据线；
4.根据权利要求3所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，在所述第三金属层和所述第四金属层之间设置通孔层以实现金属层在纵向上的隔离。
5.根据权利要求3所述的晶圆级多芯片的金属布线方法，其特征在于，相邻金属走线在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，张锐，金伍华，黎光洁，
申请(专利权)人：重庆御芯微信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。