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本发明涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆，本发明将金属走线进行分层布设，并设置预设间距进行隔离；在划片槽的交叉处通过通孔实现不同金属层的金属走线之间的跳线连接，多层金属走线实现高密度信号传输，通过对金属...
该专利属于重庆御芯微信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆御芯微信息技术有限公司授权不得商用。

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