温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种LDMOS器件，衬底内包括掺杂类型不同的第一阱区和第二阱区，并且第一阱区和第二阱区具有重叠区域；沟道区横跨第一阱区和第二阱区，沟道区与第一阱区重叠，且沟道区与和第二阱区的重叠，减小沟道区与第一阱区的重叠长度并增大沟道区与第二阱...
该专利属于华虹集成电路（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹集成电路（成都）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。