一种微型LED结构及显示装置制造方法及图纸

本技术提供一种微型LED结构及显示装置，涉及半导体显示制造领域。微型LED结构包括依次设置的N型半导体层、量子肼层和P型半导体层，还包括钝化层；钝化层包括光吸收层和第一保护层，光吸收层覆盖于N型半导体层、量子肼层和P型半导体层，第一保护层覆盖于光吸收层。在上述微型LED结构中，光吸收层能够吸收横向传播至芯片侧面的光，从而减弱芯片之间的光串扰现象，有利于提升整个微型LED结构的显示效果。此外，第一保护层覆盖于光吸收层，能够将光吸收层与外部环境隔离，使光吸收层在后续加工过程中以及长期使用过程中不易被侵蚀，有利于光吸收层稳定、有效地吸收横向传播的光。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体显示制造领域，尤其涉及一种微型led结构及显示装置。

技术介绍

1、微型led(micro light emitting diode，micro-led)技术，即led微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度-微小尺寸的led，从而实现led显示屏每一个像素可定址-单独驱动点亮，将像素等级由毫米级降低至微米级。

2、随着特征尺寸不断减小，像素之间的间隙变小，微型led芯片发出的光会在外延层中以光波导的形式横向传播，最终有一部分光会从芯片侧面出射，并横向传播而照射到邻近的芯片，造成光串扰。

技术实现思路

1、为了解决现有的微型led芯片中存在的光串扰问题，本技术的目的之一是提供一种微型led结构。

2、本技术提供如下技术方案：

3、一种微型led结构，包括依次设置的n型半导体层、量子肼层和p型半导体层，还包括钝化层；

4、所述钝化层包括光吸收层和第一保护层，所述光吸收层覆盖于所述n型半导体层、所述量子肼层和所述p型半导体层，所述第一保护层覆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微型LED结构，其特征在于，包括依次设置的N型半导体层、量子肼层和P型半导体层，还包括钝化层；

2.根据权利要求1所述的微型LED结构，其特征在于，所述钝化层还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖于所述N型半导体层、所述量子肼层和所述P型半导体层，所述光吸收层覆盖于所述第二保护层。

3.根据权利要求2所述的微型LED结构，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层均为氧化铝层。

4.根据权利要求3所述的微型LED结构，其特征在于，所述第一保护层的厚度为H1，30nm≤H1≤100nm；和/或

5.根据权利要求3所述的微型LED结构，其...

【技术特征摘要】

1.一种微型led结构，其特征在于，包括依次设置的n型半导体层、量子肼层和p型半导体层，还包括钝化层；

2.根据权利要求1所述的微型led结构，其特征在于，所述钝化层还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖于所述n型半导体层、所述量子肼层和所述p型半导体层，所述光吸收层覆盖于所述第二保护层。

3.根据权利要求2所述的微型led结构，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层均为氧化铝层。

4.根据权利要求3所述的微型led结构，其特征在于，所述第一保护层的厚度为h1，30nm≤h1≤100nm；和/或

5.根据权利要求3所述的微型led结构，其特征在于，所述第一保护层和/或所述第二保护层包括层叠设置的单原子膜。

6.根据权利要求1-5中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄婷，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：