优化嵌入式存储器件栅极形成的方法技术

本发明专利技术公开了一种优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，该方法包括：在包含单元阵列区和外围逻辑区的半导体衬底上，于单元阵列区依次形成隧穿氧化层、浮置栅极层和栅间介电层，于外围逻辑区形成栅氧化层，然后共同形成控制栅极层；采用合并了控制栅极图形和栅极连线图形的第一掩模版进行第一刻蚀，在单元阵列区形成控制栅极(停在栅间介电层上)，在外围逻辑区形成外围逻辑栅极(停在栅氧化层上)；采用第二掩模版限定单元阵列区，进行第二刻蚀，形成浮置栅极(停在隧穿氧化层上)。本发明专利技术通过合并掩模版及优化刻蚀顺序，减少了掩模版数量，增大了刻蚀工艺窗口，简化了工艺，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种优化嵌入式存储器件栅极形成的方法。

技术介绍

1、嵌入式闪存技术在现代集成电路中扮演着至关重要的角色，广泛应用于微控制器(mcu)、系统级芯片(soc)等多种电子产品中。在众多的嵌入式闪存解决方案中，基于标准etox(electrically tunneling oxide，电隧穿氧化层)架构的产品，特别是在55纳米(nm)及50纳米等工艺节点，占据了显著的市场份额。这类存储器件通常包含复杂的叠层栅极结构，例如在单元阵列区(cell array area)，栅极叠层从下至上可能依次包括隧穿氧化层(tunnel oxide)、浮置栅多晶硅层(floating gate poly,fg poly)、栅间介电层(interpoly dielectric,ipd，通常为ono即氧化物-氮化物-氧化物叠层，或gox即栅氧化层)、控制栅多晶硅层(control gate poly,cg poly)，以及可能存在的硬掩模层(hardmask,hm)。同时，芯片上还包括外围逻辑区，其栅极结构通常包含栅氧化层和其上的多晶硅栅极。

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【技术保护点】

1.一种优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述控制栅极层的材料为多晶硅。

3.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述栅间介电层的材料为氧化物-氮化物-氧化物叠层结构。

4.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述栅间介电层的材料为栅氧化层。

5.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述浮置栅极层的材料为多晶硅。...

【技术特征摘要】

1.一种优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述控制栅极层的材料为多晶硅。

3.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述栅间介电层的材料为氧化物-氮化物-氧化物叠层结构。

4.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述栅间介电层的材料为栅氧化层。

5.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，所述浮置栅极层的材料为多晶硅。

6.根据权利要求1所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，其特征在于：在步骤一中，在所述控制栅极层之上进一步形成硬掩模层；并且，在步骤二中，所述第一刻蚀一并刻蚀所述硬掩模层和所述控制栅极层。

7.根据权利要求6所述的优化嵌入式存储器件栅极形成的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴熙烁，吴志涛，
申请(专利权)人：华虹半导体制造无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：