提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：提供一半导体衬底并在其中形成阱区；在该半导体衬底上形成包括栅介质层和栅电极的栅结构；在栅电极侧壁形成侧墙间隔物；在栅电极顶表面形成覆盖栅电极顶表面的光刻胶掩膜层；然后执行单次组合离子注入步骤，利用光刻胶掩膜层和侧墙间隔物作为掩模，同时形成轻掺杂漏极(LDD)区和源漏重掺杂区。其中，光刻胶掩膜层阻挡LDD区较高能量注入部分穿透栅结构进入沟道区。本发明专利技术通过将LDD注入和源漏重掺杂注入合并，并保留栅上光刻胶，允许使用更高LDD注入能量，摆脱BCD平台限制，精确控制掺杂，从而显著提高器件耐压，降低GIDL漏电，改善HCI效应，且不增加工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种提高耐压的mosfet半自对准工艺方法。

技术介绍

1、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)是功率半导体器件中的关键组成部分，广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备、照明系统、医疗设备以及工业控制等多个高科技领域。mosfet器件以其高效的能源转换能力、信号放大特性和精确的功率控制功能，对新兴产业的发展和技术进步起着至关重要的推动作用，是现代电子设备中不可或缺的核心元件之一。

2、随着双极-互补金属氧化物半导体-耗尽型金属氧化物半导体(bcd)工艺技术节点的不断演进，栅极多晶硅的厚度持续减薄。这一趋势导致了器件的轻掺杂漏(ldd)区域注入能量的相应减小，进而可能引发器件性能的衰退，具体表现为热载流子注入(hci)效应增强、结漏电增大等问题。

3、为应对上述挑战，业界已提出多种解决方案。例如，在多晶硅栅电极上覆盖光刻胶以进行半自对准ldd注入，或采用非自对准ldd工艺。在这些方案中，半自对准ldd技术因其能够在不显著增加工艺成本和额外工艺步骤的前提下，有效降低器件的hci效应、减小结漏电，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法，其特征在于：在步骤二之前，还包括如下步骤：在所述半导体衬底(101)上形成牺牲氧化层，并在形成所述阱区(103)之后去除所述牺牲氧化层。

3.根据权利要求1所述的提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法，其特征在于：在步骤五中，所述单次组合离子注入步骤(106)的注入条件，包括能量、剂量和杂质类型，是能够独立于BCD平台的标准注入条件而进行调节的。

4.根据权利要求1所述的提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种提高耐压的mosfet半自对准工艺方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的提高耐压的mosfet半自对准工艺方法，其特征在于：在步骤二之前，还包括如下步骤：在所述半导体衬底(101)上形成牺牲氧化层，并在形成所述阱区(103)之后去除所述牺牲氧化层。

3.根据权利要求1所述的提高耐压的mosfet半自对准工艺方法，其特征在于：在步骤五中，所述单次组合离子注入步骤(106)的注入条件，包括能量、剂量和杂质类型，是能够独立于bcd平台的标准注入条件而进行调节的。

4.根据权利要求1所述的提高耐压的mosfet半自对准工艺方法，其特征在于：在步骤五中，所述用于形成ldd区(106-1)的较高能量的离子注入部分的注入能量高于所述用于形成源漏重掺杂区(106-2)的能量较低的离子注入部分的注入能量。

5.根据权利要求1所述的提高耐压的mosfet半自对准工艺方法，其特征在于：所述m...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻明康，许昭昭，田甜，鲍超，刘冬华，钱文生，
申请(专利权)人：华虹半导体制造无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：