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本发明公开了一种提高耐压的MOSFET半自对准工艺方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：提供一半导体衬底并在其中形成阱区；在该半导体衬底上形成包括栅介质层和栅电极的栅结构；在栅电极侧壁形成侧墙间隔物；在栅电极顶表面形成覆盖栅电极顶表面的...
该专利属于华虹半导体制造（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体制造（无锡）有限公司授权不得商用。

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