本发明专利技术公开了一种垂直型Nor Flash及其制造方法。在硅衬底中形成有N掺杂源层；在N掺杂源层左右方向的中部上方形成有P阱层及N掺杂漏层；P阱层左侧表面及右侧表面覆盖有横向栅极叠层；横向栅极叠层包括沿横向依次邻接层叠布置的隧穿氧化层、浮栅、隔离层及控制栅；漏端接触孔短接到N掺杂漏层；栅端接触孔短接到控制栅；源端接触孔短接到N掺杂源层。本发明专利技术利用浮栅的纵向高度，以及横向布置于的P阱层左右两侧的横向栅极叠层，可以在提高存储能力的同时减小存储单元横向尺寸，增加集成度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及到一种垂直型nor flash及其制造方法。
技术介绍
1、传统的etox(eprom-with-tunnel-oxide)nor型闪存(flash)，其结构是平面式结构，如图1所示，控制栅(cg)同浮栅(fg)是竖向层叠布置的，为保证存储能力，控制栅(cg)及浮栅(fg)需要较大横向宽度，收缩(shrink)容限低，存储器内的位单元(bit cell)集成度提升较难。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种垂直型nor flash及其制造方法，可以在提高存储能力的同时减小存储单元横向尺寸，增加集成度。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的一种垂直型nor flash，其在硅衬底中形成有n掺杂源层101；
3、在所述n掺杂源层101左右方向的中部上方形成有p阱层102及n掺杂漏层103；
4、所述n掺杂漏层103、p阱层102及n掺杂源层101从硅衬底上表面向下依次邻接沿竖向层叠布置；
>5、所述p阱层10本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种垂直型NOR Flash，其特征在于，在硅衬底中形成有N掺杂源层(101)；
2.根据权利要求1所述的垂直型NOR Flash，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的垂直型NOR Flash，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的垂直型NOR Flash，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的垂直型NOR Flash，其特征在于，
6.一种权利要求1所述的垂直型NOR Flash的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的垂直型NOR Flash的制造方法，其特征在于，
8.根...
【技术特征摘要】
1.一种垂直型nor flash，其特征在于，在硅衬底中形成有n掺杂源层(101)；
2.根据权利要求1所述的垂直型nor flash，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的垂直型nor flash，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的垂直型nor flash，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的垂直型nor flash，其特征在于，
6.一种权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：许诺，王函，王晓日，吕穿江，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。