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本发明公开了一种垂直型Nor Flash及其制造方法。在硅衬底中形成有N掺杂源层；在N掺杂源层左右方向的中部上方形成有P阱层及N掺杂漏层；P阱层左侧表面及右侧表面覆盖有横向栅极叠层；横向栅极叠层包括沿横向依次邻接层叠布置的隧穿氧化层、浮栅、...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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