抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法技术

本申请公开了一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法，抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其中，包括层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和栅极结构层，沟道层的远离缓冲层的表面还设有源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构分别连接于势垒层在第一方向上的两侧并在两侧与栅极结构层间隔设置，在势垒层的远离沟道层的表面还设有电场承载结构，电场承载结构间隔设于栅极结构层的靠近漏极结构的一侧；其中，电场承载结构具有第一导电类型和第二导电类型。本申请的一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法，在不改变器件原有特性的条件下，提升了器件抗单粒子能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，尤其涉及一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法。

技术介绍

1、在半导体功率器件中，gan hemt(gan high electron mobilitx transistor，氮化镓高电子迁移率晶体管)具有高禁带宽度、高2deg(two dimension electron gas，二维电子气)浓度、高击穿电场、低功耗、高可靠性和高电子迁移率的特性。但在具有辐射环境的宇宙空间中，辐射中的单粒子会在gan hemt器件中引入缺陷，导致器件性能退化甚至烧毁，因此gan hemt器件的抗单粒子能力较弱。

2、目前，通常采用将gan沟道进行al掺杂，使gan沟道变成algan沟道的方式，但algan沟道会导致gan hemt器件的导通特性受到影响；或者采用衬底与外延层之间不同晶格常数错配的方式，但错配不可控制，会导致器件的可靠性降低。因此，在不改变器件原有特性的条件下，如何提升器件的抗单粒子能力成为了需要解决的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种抗单粒子型高电子迁移率晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括层叠设置的衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)和栅极结构层(5)，所述沟道层(3)的远离所述缓冲层(2)的表面还设有源极结构(6)和漏极结构(7)，所述源极结构(6)和所述漏极结构(7)分别连接于所述势垒层(4)在第一方向(X)上的两侧并在两侧与所述栅极结构层(5)间隔设置，在所述势垒层(4)的远离所述沟道层(3)的表面还设有电场承载结构(8)，所述电场承载结构(8)间隔设于所述栅极结构层(5)的靠近所述漏极结构(7)的一侧；

2.根据权利要求1所述的抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述电场承载...

【技术特征摘要】

1.一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括层叠设置的衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)和栅极结构层(5)，所述沟道层(3)的远离所述缓冲层(2)的表面还设有源极结构(6)和漏极结构(7)，所述源极结构(6)和所述漏极结构(7)分别连接于所述势垒层(4)在第一方向(x)上的两侧并在两侧与所述栅极结构层(5)间隔设置，在所述势垒层(4)的远离所述沟道层(3)的表面还设有电场承载结构(8)，所述电场承载结构(8)间隔设于所述栅极结构层(5)的靠近所述漏极结构(7)的一侧；

2.根据权利要求1所述的抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述电场承载结构(8)包括相连接的第一导电结构(81)和第二导电结构(82)，所述第一导电结构(81)靠近于所述漏极结构(7)设置，所述第二导电结构(82)连接于所述第一导电结构(81)远离所述漏极结构(7)的一侧；

3.根据权利要求2所述的抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一导电结构(81)贴合于所述漏极结构(7)设置。

4.根据权利要求2所述的抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一导电结构(81)和所述第二导电结构(82)在第一方向(x)上均具有延伸宽度l，0.5μm≤l≤2.0μm；

5.根据权利要求1所述的抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管还包括钝化层(9)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金龙，张彦飞，刘梦新，
申请(专利权)人：北京中科新微特科技开发股份有限公司，
类型：发明
国别省市：