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本申请公开了一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法，抗单粒子型高电子迁移率晶体管，其中，包括层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和栅极结构层，沟道层的远离缓冲层的表面还设有源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构分别连接于势垒层在第一...
该专利属于北京中科新微特科技开发股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中科新微特科技开发股份有限公司授权不得商用。

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