本申请涉及一种半导体器件及其制作方法，其包括外延层

本申请公开了一种沟槽型MOSFET及其制造方法，涉及半导体技术领域。沟槽型MOSFET包括：第一掺杂类型的衬底，衬底的第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构，栅极沟槽结构的底...

本申请公开了电源模块。本申请实施例的电源模块包括：电路板；座板，座板能拆装地连接于电路板沿第一方向的第一侧；电池，电池安装于座板沿第一方向的第一侧，电池朝向座板的一侧设置有引脚，引脚贯穿座板与电路板电连接。根据本申请实施例，通过设置座板...

本申请涉及一种高散热性能的电源模块，涉及电源模块领域。电源模块包括散热块和电源本体，散热块设置有卡扣，电源本体上设置有与卡扣配合的凹槽，散热块与电源本体通过卡扣与凹槽配合固定连接在一起。当电源本体长时间工作时，电源本体可以通过与其固定连...

本申请公开了一种沟槽型晶体管及其制造方法，涉及半导体器件领域。该晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底的第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构，栅极沟槽结构的底部栅氧化层的拐角...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖衬底；第二导电类型的阱区，形成于外延层的表面上，阱区内形成有包括第一导电类型的第一掺杂区的源区，阱区的表面上形成有第二导电类型的第二掺杂...

本实用新型涉及一种密封试验工装及密封试验设备。该密封试验工装，应用于真空环境中，包括：承载构件，为防静电材料制作的结构件，承载构件具有容纳腔和与容纳腔连通的开口，容纳腔包括底壁和与底壁连接的侧壁，底壁上设置有定位槽，定位槽的内表面与待测...

本实用新型涉及绝缘栅功率场效应晶体管的热阻抗测试领域，具体涉及一种用于测试晶体管的测试辅助工装。本实用新型旨在解决热阻测试过程中可能存在误连接导致短路的问题。为此目的，本实用新型的用于测试晶体管的测试辅助工装包括：盒体；夹具，夹具沿第一...

本申请提供了一种槽栅MOSFET器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该槽栅MOSFET器件包括：依次层叠设置的衬底、外延层、阱区、源区、层间介质层和第一电极层；以及，沟槽栅，包括栅极沟槽、栅介质层和栅导电材料层，栅极沟槽一部分位于外延...

本发明提供一种抑制寄生晶体管开启的VDMOS结构及其制造方法，该VDMOS结构包括：衬底；覆盖衬底的外延层；位于外延层内的源掺杂区；位于外延层内并环绕源掺杂区的阱区；覆盖在沟道区表面和阱区之间的栅介质层；覆盖栅介质层的多晶硅栅极；位于多...

本发明提供了一种功率MOSFET，包括：衬底；外延层，外延层覆盖衬底；源掺杂区，源掺杂区位于外延层内；阱区，阱区位于外延层内且位于源掺杂区下方；多晶源极，多晶源极被外延层包围且位于芯片表面下方；多个浮空电极，浮空电极被外延层包围且位于多...

本发明提供了一种ESD保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法。该ESD保护结构包括：第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层内第一具有第二导电类型的阱区和第二具有第二导电类型的阱区；位于外延层内，在第一具有第二导电类型的阱区和第...

本实用新型提供了一种元器件存放用泡棉及其存放装置。所述元器件存放用泡棉上设置有凹槽，其中所述元器件存放用泡棉为防静电泡棉。使得所需存储、运输的元器件能够单独存放，从而避免在元器件存储、运输过程中，由于元器件之间以及元器件与容器之间的摩擦...