一种光电器件中金属层薄膜以及光电器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及光电器件领域，公开了一种光电器件中金属层薄膜以及光电器件的制备方法。所述光电器件中金属层薄膜的制备方法包括以下步骤：提供基底，所述基底包括收集层以及设置在所述收集层表面的势垒层；采用聚焦等离子技术在所述势垒层表面制备金属层薄膜。本发明专利技术提出的制备方法，具有无掩模、低温、纳米级精度的特性，解决了传统工艺在金属层薄膜制备中的瓶颈问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电器件，尤其涉及一种光电器件中金属层薄膜以及光电器件的制备方法。

技术介绍

1、热电子光电探测器是一种基于非平衡热电子效应的新型光电探测技术，相较于传统pn结或pin光电二极管，它具有超快响应、宽谱探测、纳米尺度兼容性等独特优势，在多个前沿领域展现出重要潜力。热电子光电探测器是一种利用金属-半导体截面或金属-绝缘体-半导体结构的热电子效应实现光电转换的器件，通常由金属层(au、ag、al、w等)、势垒层(如al2o3、bn、sio2等)、收集层(si、ge、gaas或二维材料等)三部分构成。势垒层可通过原子层沉积(ald)、转移装置等方式在收集层上直接生长，金属层的制备通常依赖传统微纳加工工艺：先通过光刻手段在势垒层上锁定金属层沉积区域，再通过电子束蒸发或者磁控溅射方法制备连续金属薄膜，随后显影去除表面多余光刻胶。该流程存在工艺复杂、参数敏感、界面污染等问题，严重影响热电子光电探测器器件性能和可重复性。

2、目前行业内新兴的纳米压印技术可直接通过模板压印金属层薄膜，避免使用光刻胶，然而需要解决势垒层材料与模板的粘附问题。另一种激本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用聚焦等离子技术在所述势垒层表面制备金属层薄膜的步骤，具体为：

3.根据权利要求2所述的光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属有机前驱体气体选自W(CO)6、(CH3C5H4)Pt(CH3)3、(CH3)2Au(TFA)、C6H6、C7H8、Si(OC2H5)4、SiH4或SiCl4。

4.根据权利要求2所述的光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述离子束选自Ga+离子束或He+...

【技术特征摘要】

1.一种光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用聚焦等离子技术在所述势垒层表面制备金属层薄膜的步骤，具体为：

3.根据权利要求2所述的光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属有机前驱体气体选自w(co)6、(ch3c5h4)pt(ch3)3、(ch3)2au(tfa)、c6h6、c7h8、si(oc2h5)4、sih4或sicl4。

4.根据权利要求2所述的光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征在于，所述离子束选自ga+离子束或he+离子束。

5.根据权利要求2所述的光电器件中金属层薄膜的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张欢，孙浩亮，毛军发，王敏，张崇磊，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：