闪存器件的制备方法技术

本申请提供一种闪存器件的制备方法，先通过ISSG工艺生成一层致密的第一氧化硅层，再通过扩散等离子体氮化工艺向第一氧化硅层中渗入氮离子，最后通过氮化后热退火工艺修复第一氧化硅层的晶格，渗氮后的第一氧化硅层的介电常数大于传统的ONO膜层中的第一氧化硅层，能有效抑制P型离子(例如硼离子、磷离子等离子)从浮栅层中往控制栅层中扩散，避免了ONO膜层漏电的情况从而导致闪存器件读取储存信息失败的问题，改善了闪存器件的读取操作的可靠性，提高了器件的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种闪存器件的制备方法。

技术介绍

1、55nm工艺节点/90nm工艺节点闪存器件的多个产品表现出读操作时发生"0→1"错误(即原本存储的"0"被误读为"1")，导致产品无法成功读取储存信息。

2、从失效现象来看均为cg(控制栅)端长期加压引起的读取干扰失效，浮栅-控制栅之间发生微弱漏电，浮栅电子穿越ono膜层，导致原本存储的"0"被误读为"1"，读取失败。

技术实现思路

1、本申请提供了一种闪存器件的制备方法，可以解决传统闪存器件的ono膜层存在漏电问题导致闪存器件读取储存信息失败的问题。

2、本申请实施例提供了一种闪存器件的制备方法，包括：

3、提供一衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层和浮栅层；

4、采用issg工艺形成第一氧化硅层；

5、通过扩散等离子体氮化工艺向所述第一氧化硅层中渗入一定剂量的氮离子；

6、对执行所述扩散等离子体氮化工艺之后的半导体结构进行热退火工艺；

7、形成氮化硅层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为40埃～60埃。

3.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在通过扩散等离子体氮化工艺向所述第一氧化硅层中渗入氮离子的过程中，所述第一氧化硅层中渗入的氮离子的剂量为1E5atoms/cm2～1E6atoms/cm2。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述扩散等离子体氮化工艺的射频功率为1800w～2000w。

5.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在对执行所述...

【技术特征摘要】

1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为40埃～60埃。

3.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在通过扩散等离子体氮化工艺向所述第一氧化硅层中渗入氮离子的过程中，所述第一氧化硅层中渗入的氮离子的剂量为1e5atoms/cm2～1e6atoms/cm2。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述扩散等离子体氮化工艺的射频功率为1800w～2000w。

5.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家辉，郑刚，施磊，吴建荣，瞿治军，
申请(专利权)人：华虹半导体制造无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：