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本申请提供一种闪存器件的制备方法，先通过ISSG工艺生成一层致密的第一氧化硅层，再通过扩散等离子体氮化工艺向第一氧化硅层中渗入氮离子，最后通过氮化后热退火工艺修复第一氧化硅层的晶格，渗氮后的第一氧化硅层的介电常数大于传统的ONO膜层中的第一...
该专利属于华虹半导体制造（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体制造（无锡）有限公司授权不得商用。

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