温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种优化嵌入式存储器件栅极形成的方法，该方法包括：在包含单元阵列区和外围逻辑区的半导体衬底上，于单元阵列区依次形成隧穿氧化层、浮置栅极层和栅间介电层，于外围逻辑区形成栅氧化层，然后共同形成控制栅极层；采用合并了控制栅极图形和栅极...
该专利属于华虹半导体制造（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体制造（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。