【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种存储单元、存储阵列及其形成方法。
技术介绍
1、在当今数字化时代，随着电子设备的不断演进以及数据处理需求的飞速增长，作为计算机系统关键组成部分的动态随机存取存储器（dram）在存储架构设计方面正面临着诸多挑战与机遇。
2、dram 的存储单元是基于单个电容和单个晶体管（1t1c）的设计，通过周期性地刷新操作来维持存储的数据。在早期的计算机系统以及简单的电子设备中，这一结构能够满足基本的存储需求，为系统的稳定运行和数据的临时存储提供了可靠的解决方案。
3、然而，随着现代电子应用对数据存储容量、读写速度以及功耗控制等方面提出了更高的要求，dram的存储单元的结构的局限性逐渐凸显。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是如何简化存储单元的形成过程。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种存储单元，包括：
3、单元叠层，单元叠层包括：层叠设置的第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，第一导电层、第一绝缘层和第二...
【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：第四导电层，所述第四导电层位于所述第二导电层的第一面的一侧；
3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述介质层还位于所述第四导电层和第一导电层之间。
4.如权利要求2或3所述的存储单元，其特征在于，所述介质层还延伸至所述第四导电层和所述第一绝缘层之间。
5.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，还包括：互连柱，所述互连柱沿所述第一方向延伸，所述互连柱连接所述第三导电层和所述第四导电层；
6.如权利要求1所述的存储...
【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：第四导电层，所述第四导电层位于所述第二导电层的第一面的一侧；
3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述介质层还位于所述第四导电层和第一导电层之间。
4.如权利要求2或3所述的存储单元，其特征在于，所述介质层还延伸至所述第四导电层和所述第一绝缘层之间。
5.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，还包括：互连柱，所述互连柱沿所述第一方向延伸，所述互连柱连接所述第三导电层和所述第四导电层；
6.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第二导电层的材料为重掺杂的铟镓锌氧化物。
7.如权利要求6所述的存储单元，其特征在于，所述第二导电层的材料为n型重掺杂的铟镓锌氧化物。
8.如权利要求6或7所述的存储单元，其特征在于，所述第二导电层的掺杂浓度为1e20~1e21。
9.如权利要求8所述的存储单元，其特征在于，所述第二导电层呈金属性。
10.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述沟道层的材料为铟镓锌氧化物。
11.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，
12.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述栅极结构包括：
13.如权利要求12所述的存储单元，其特征在于，所述栅极结构还包括：侧向延伸电极，沿垂直所述第一方向的方向，所述侧向延伸电极自所述栅电极柱向所述沟道层延伸。
14.一种存储阵列，其特征在于，
15.如权利要求14所述的存储阵列，其特征在于，至少2个所述存储单元沿第一方向层叠设置。
16.如权利要求15所述的存储阵列，其特征在于，
17.如权利要求14所述的存储阵列，其特征在于，多个所述存储单元沿第二方向和第三方向呈阵列排布，其中第二方向垂直所述第一方向，且所述第三方向垂直所述第一方向，...
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