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一种存储单元、存储阵列及其形成方法，存储单元包括：沟道层沿第一方向的一侧与第二导电层的第一面相接触，沟道层沿第一方向的另一侧与第一导电层相接触；第二导电层的第二面和第三导电层之间具有介质层。第一导电层能够兼顾晶体管的漏极和存储阵列位线的作用...
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