【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质。
技术介绍
1、为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
2、然而随着器件的尺寸日益缩小，在经过光刻制程之后，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大。为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行刻蚀偏差补偿，然后再依据刻蚀偏差补偿过的掩膜版图案进行图案转移。
3、但是，目前刻蚀偏差补偿的修正精准率仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实...
【技术保护点】
1.一种刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，根据所述实际刻蚀图形和实际曝光图形，获得所述测试图形对应的刻蚀偏差补偿值中，获取所述实际曝光图形与实际刻蚀图形的尺寸差值作为所述刻蚀偏差补偿值。
3.如权利要求1所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，获取所述测试图形在实际曝光过程中的光学特性参数中，获取所述测试图形在实际曝光过程中的图像对数斜率；
4.如权利要求3所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，结合所述测试图形的图像对数斜率和刻蚀偏差补偿值建立...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，根据所述实际刻蚀图形和实际曝光图形，获得所述测试图形对应的刻蚀偏差补偿值中，获取所述实际曝光图形与实际刻蚀图形的尺寸差值作为所述刻蚀偏差补偿值。
3.如权利要求1所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，获取所述测试图形在实际曝光过程中的光学特性参数中，获取所述测试图形在实际曝光过程中的图像对数斜率；
4.如权利要求3所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，结合所述测试图形的图像对数斜率和刻蚀偏差补偿值建立所述刻蚀偏差补偿模型，包括：对所述测试图形的多个图像对数斜率和刻蚀偏差补偿值进行函数拟合，获得所述刻蚀偏差补偿模型的功能函数。
5.如权利要求4所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，对所述测试图形的多个图像对数斜率和刻蚀偏差补偿值进行函数拟合，获得所述刻蚀偏差补偿模型的功能函数，包括：以所述图像对数斜率为自变量，所述刻蚀偏差补偿值为因变量，设置多项式拟合函数；
6.如权利要求5所述的刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，根据所述测试图形的多个图像对数斜率和刻蚀偏差补偿值，对所述多项式拟合函数进行拟合，获得所述多项式拟合函数的拟合系数，以获得所述多项式拟合函数作为所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王艳秋，丁丽华，李甲兮，邵宇辰，程仁强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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