【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法。
技术介绍
1、在当前半导体制造领域，随着制程节点的不断进步，各大晶圆厂致力于提升光刻技术以实现微细化的图形线宽。依据公式d＝k1λna、dof＝k2λ/(na)2、na＝n·sinθ(其中，d为光源作用再光阻的线宽；k1、k2为常数；λ为光源波长；na为数值孔径；n为该光学系统中介质对的折射率)，缩短线宽需从高na化及缩短波长两方面着手优化。然而，光源波长的持续降低促使光罩保护膜内部相对独立空间缺陷滋生，尤其是haze(雾状结晶)问题，已然成为光罩厂及晶圆厂经年面临的重大挑战。
2、现有技术应对haze问题主要采用两种方式。其一为减少源头离子引入，此举旨在降低光罩表面haze生成源含量，但这对环境与工艺要求极为严苛，实施难度较大。其二是在光罩曝光能量累积到一定程度甚至出现haze问题后，采用定期拆膜清洗的弥补措施。不过，对于高阶光罩而言，此方法存在较高风险，因为粘合剂在曝光过程中物性发生变化，导致拆膜过程困难重重，易残留大量残胶，这对光罩后续洗净能...
【技术保护点】
1.一种光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，光罩与其保护膜之间的粘合剂的剥离力在预设温度下与拆膜温度呈线性关系，满足如下公式：
3.根据权利要求2所述的光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，计算所述K和A的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，所述第一温度为22℃；所述第二温度大于所述第一温度。
5.根据权利要求3所述的光罩最适拆膜温度计算及保护膜清洗方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，光罩与其保护膜之间的粘合剂的剥离力在预设温度下与拆膜温度呈线性关系，满足如下公式：
3.根据权利要求2所述的光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，计算所述k和a的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法，其特征在于，所述第一温度为22℃；所述第二温度大于所述第一温度。
5.根据权利要求3所述的光罩最适拆膜温度计算及保护膜清洗方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王毅，谢发政，夏洋威，
申请(专利权)人：青岛方益技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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