【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，更具体地涉及一种套刻误差补偿方法、装置和光刻机。
技术介绍
1、随着光刻技术中工艺堆叠层数的增加，局部结构畸变、高阶非线性变形、热应力差异引发的非均匀形变等现象日益显著。传统基于低阶的线性模型拟合的套刻误差补偿方法已难以满足实际需求。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开提供了一种套刻误差补偿方法、装置和光刻机。
2、根据本公开的第一个方面，提供了一种套刻误差补偿方法，包括：将当前实际套刻误差数据进行高阶多项式拟合，得到多个当前候选套刻参数，上述当前实际套刻误差数据表征晶圆的当前层光刻图形与上一层光刻图形之间的实际偏移量，上述当前候选套刻参数表征高阶多项式的系数，上述高阶多项式的阶数大于或等于4；基于上述多个当前候选套刻参数各自对应的显著影响值，从上述多个当前候选套刻参数中确定多个当前目标套刻参数，上述显著影响值表征上述当前候选套刻参数对套刻误差补偿的影响程度；基于预设映射模型，根据上述多个当前目标套刻参数，得到用于套刻误差补偿的多个当前控制参数，以...
【技术保护点】
1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述多个当前候选套刻参数各自对应的显著影响值，从所述多个当前候选套刻参数中确定多个当前目标套刻参数，包括以下操作之一：
4.根据权利要求1~3中任一项所述的方法，其特征在于，所述将当前实际套刻误差数据进行高阶多项式拟合，得到多个当前候选套刻参数，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用最小二乘算法，基于预设高阶二维多项式对所述当前实际套刻误差数据...
【技术特征摘要】
1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述多个当前候选套刻参数各自对应的显著影响值，从所述多个当前候选套刻参数中确定多个当前目标套刻参数，包括以下操作之一：
4.根据权利要求1~3中任一项所述的方法，其特征在于，所述将当前实际套刻误差数据进行高阶多项式拟合，得到多个当前候选套刻参数，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用最小二乘算法，基于预设高阶二维多项式对所述当前实际套刻误差数据进行求解，以确定所述多个当前候选套刻参数，包括：
6.根据权利要求1~3中任一项所述的方法，其特征在于，所述基于预设映射模型，根据所述多个当前目标套刻参数，得到用于套刻误差补偿的多个当前控制参数，包括：
7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：芮定海，张利斌，韦亚一，粟雅娟，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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