本发明涉及一种基于相干探测技术的垂直表征系统；属于非线性光学表征技术领域；包括：入射光路组件用于对产生的入射线偏振超短激光脉冲在进行偏振控制和分光后，得到的一束与样品垂直的分束激光垂直聚焦在样品上，得到的另一束分束激光输出到参考光路组件...

本发明涉及一种T型栅及改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法，属于半导体材料技术领域，用于解决现有技术中薄膜层会造成栅帽底部边缘轮廓出现“伞状”外溢，进而影响器件的稳定性的问题。本发明公开了一种改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法，所述的方法包括...

本发明提供一种功能板卡的测试设备，包括：设置于功能板卡所在的系统内部的嵌入式芯片，嵌入式芯片与功能板卡中的应用电路相连；嵌入式芯片与应用电路设置在同一板卡或不同板卡上；嵌入式芯片用于：运行预先写入的自测试程序，以实现和应用电路的待测节点...

本发明涉及一种基于ECG参考和波形曲率特征的SCG特征点识别方法，属于SCG信号特征提取技术领域，解决了现有技术中因SCG信号形态随着运动伪影，呼吸周期、性别年龄等不同参数的变化，降低了鲁棒性，特征点识别适用范围受限，识别精度低的问题。...

本发明公开一种基于有机薄膜晶体管的平面互补反相器及制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域，以解决现有反相器增益低，性能差的问题。平面互补反相器包括：衬底；形成于所述衬底上的IGZO晶体管和有机薄膜晶体管；所述IGZO晶体管的有源层材料为铟镓锌...

本发明涉及电路制造技术领域，公开了一种光刻设备及其使用方法、气浴发生装置，该装置包括：气浴发生器，具有容纳空间和环形流道，气浴发生器的外壁设有至少一个通气组件，每个通气组件包括多个绕容纳空间的周向间隔设置的通孔，通孔被配置为能够令环形流...

本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，以提供一种增加空穴的排出路径，提高了器件的抗单粒子烧毁能力的技术方案。所述沟槽型Si C MOSFET器件，包括：依次堆叠的N+型漏极和N型漂移区。形成...

本发明涉及一种基于FPGA的多通道模块化超声前端系统，属于超声设备领域，解决了现有系统延时参数计算慢、延时精度不高的问题。系统包括FPGA主控模块、高压驱动电路、超声探头和接收调理电路，FPGA模块包括发射和接收模块；发射模块基于延时参...

本发明公开一种微带线的设计方法、装置、设备及介质，涉及微波和射频工程领域，所述微带线的设计方法，包括：根据微带线的基板材料，确定微带线的介电常数；确定微带线的目标源阻抗和目标负载阻抗；其中，所述目标源阻抗对应微带线窄线段末端的阻抗；所述...

本发明提供了一种固体碘工质液化结晶装置，包括固体碘液化容器，用于提供干燥环境以放置固体碘颗粒；圆台型分离装置，设置到固体碘液化容器内，将固体碘液化容器分成固体碘颗粒放置区以及底部液化区；连接管路和碘结晶储箱，连接管路的两端分别连接底部液...

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以提高半导体器件的良率。半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上形成鳍状结构；沿半导体基底的厚度方向，鳍状结构包括第一叠层、以及位于第一叠层沿厚度方向两侧的第二叠层。形成横跨在鳍...

本发明公开了一种氮化镓低噪声放大器，涉及微波集成电路技术领域，以提供一种具有带宽大、带内增益平坦、噪声系数低和面积紧凑的氮化镓低噪声放大器技术方案。氮化镓低噪声放大器包括的输入匹配电路用于将输入源阻抗转换到第一级GaN管芯的最佳源阻抗，...

本申请公开了一种测试诊断的自动化设计方法及系统，读取应用设计，确定应用设计中需要测试的待测试器件，并根据待测试器件，建立自测试诊断电路网表，根据自测试诊断电路网表，生成电路原理图，电路原理图为各个元器件的布局和各个元器件之间的布线的电路...

本发明提供一种基于嵌入式芯片的自动化设计方法及装置，获取电路信号流，通过电路信号流，对系统板卡功能硬件电路进行分析，得到自测试诊断电路，根据自测试诊断电路，生成嵌入式芯片的控制功能硬件测试程序和嵌入式芯片的诊断程序，嵌入式芯片的诊断程序...

本发明公开一种具有快速导通路径的高速自举开关，涉及电子技术领域，所述具有快速导通路径的高速自举开关包括：快速导通电路和栅压自举开关电路；栅压自举开关电路，包括采样开关、寄生电容以及自举电容；其中，所述采样开关的栅极分别与所述快速导通电路...

本公开提供了一种拓扑自旋材料基磁阻存储器件，包括：自旋轨道耦合层，材料为拓扑绝缘体，用于产生自旋流；氧化镍层，形成于所述自旋轨道耦合层上；界面层，形成于所述氧化镍层上；以及磁性隧道结，形成于所述界面层上，包括形成于势垒层上下两侧的铁磁层...

本公开提供了一种片上激光器，可以应用于微纳光电子集成技术领域。该激光器包括：衬底；设置在衬底上沿第一方向延伸的激光器主体；以及在与第一方向相交的第二方向上围绕激光器主体的包层；其中，激光器主体包括增益区、微环谐振腔区、第一布拉格谐振腔区...

本发明公开一种等离子体刻蚀工艺的仿真方法、装置和设备，涉及等离子体刻蚀技术领域，以解决现有技术中等离子体刻蚀工艺仿真时刻蚀轮廓预测不精确的问题。方法包括：获取等离子体刻蚀工艺仿真模型的模型输入参数；基于元胞法得到对应的刻蚀区域；基于能量...

本申请提供一种存储器阵列、存算一体电路及其控制方法、芯片和电子设备。涉及存储器设计技术领域。存储器阵列包括多个呈阵列排布的存储单元；每一存储单元的第一端连接有第一字线和第一双位线，每一存储单元的第二端连接有第二字线和第二双位线；所述第一...

本申请公开了一种工艺设计工具包的构建方法及相关装置，涉及集成电路设计领域，包括：基于预设关键词库中的各器件的关键词，从公开数据源提取各关键词对应的器件信息，获得前端导入的各电极边界条件，至少基于器件信息和电极边界条件进行模型仿真与调参，...