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中国科学院微电子研究所专利技术
中国科学院微电子研究所共有7427项专利
半导体结构及其形成方法技术
一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底;位于所述衬底部分表面的栅极结构,所述栅极结构包括界面层、位于所述界面层上的超晶格栅介质结构、以及位于所述超晶格栅介质结构表面的栅极层,所述超晶格栅介质结构包括若干层叠的第一高K介质层和第二...
一种离心泵故障诊断方法、系统、介质及设备技术方案
本公开涉及一种离心泵故障诊断方法、系统、介质及设备,所述方法包括:采集离心泵轴承的原始振动信号并存储;对采集得到的原始振动信号进行预处理,得到二维时序图数据集,并将所述数据集分为模型的训练集和测试集;将所述训练集输入至轻量级卷积神经网络...
一种Ga2O3/SiC复合衬底及其制备方法技术
本发明涉及一种Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;/SiC复合衬底及其制备方法,属于半导体器件制造技术领域,解决了现有工艺剥离温度高、剥离时间长的问题。该制备方法包括:从体Ga&...
一种底部非对称介质隔离的围栅器件及制备方法技术
本发明涉及一种底部非对称介质隔离的围栅器件及制备方法。围栅器件:衬底;设置于所述衬底上方的纳米片堆栈部;其中,所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层,所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道;环绕式栅极,其环绕所述纳米片堆栈部;源极和漏极...
3D异质集成的动态随机存储器结构及其制造方法技术
本发明涉及一种3D异质集成的动态随机存储器结构及其制造方法。结构包括由下至上层叠的衬底、第一层晶体管和第二层晶体管;所述第一层晶体管采用环绕栅极场效应晶体管,并且所述第一层晶体管中的沟道采用单晶半导体材料;所述第二层晶体管采用金属氧化物...
全双工干扰抵消电路及其工作方法、功率检测电路技术
一种全双工干扰抵消电路及其工作方法、功率检测电路,包括:全双工信号处理模块,用于根据反馈调节信号对耦合信号进行处理以输出第一信号;功率检测模块,用于根据第一信号与泄露信号得到合成信号,输出检测功率参数;参数迭代模块,用于存储有最小功率参...
一种薄膜质量分析方法技术
本公开提供了一种薄膜质量分析方法,包括:将光束入射至待测薄膜表面,经过偏振片分光得到第一偏振光和第二偏振光;测量得到与第一偏振光和第二偏振光分别对应的第一偏振光反射率和第二偏振光反射率;根据第一偏振光反射率和第二偏振光反射率计算反射率差...
一种混合精度运算单元、方法和阵列技术
本发明涉及一种混合精度运算单元、方法和阵列,属于运算单元设计领域。混合精度运算单元包括4个基于bit串行的混合精度乘法器,三个加法器和一个移位器;混合精度乘法器用于对2bit精度的激活值与1‑8bit连续精度可变的权重值进行乘加运算;移...
薄膜晶体管及其制备方法技术
本公开提供了一种薄膜晶体管,可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括:基板;栅极金属层,栅极金属层下表面贴合基板;介质层,介质层下表面贴合栅极金属层上表面、侧表面和基板的至少部分上表面;沟道层,设置于介质层上方,沟道层材料包括InSe...
一种双埋氧绝缘体上硅晶圆及其制备方法技术
本发明提供了一种双埋氧绝缘体上硅晶圆及其制备方法。本发明的双埋氧绝缘体上硅晶圆的制备方法,包括如下步骤:S1:向第一硅晶圆中注氢,形成第一注氢硅晶圆;S2:采用热氧化法在第二硅晶圆表面生成SiO<subgt;2</subgt...
一种基于存算一体加速的星载可计算存储系统和电子设备技术方案
本公开提供了一种基于存算一体加速的星载可计算存储系统和电子设备,该系统包括:可计算存储控制器,用于将星载遥感数据传输至存算一体加速器,并接收存算一体加速器反馈的星载遥感数据对应的特征标签,同时采用面向对象的管理方式,将星载遥感数据及其对...
一种具有横向结构的垂直腔表面发射激光器及其制造方法技术
本发明公开具有横向结构的垂直腔表面发射激光器及其制造方法。包括主腔以及环绕在主腔外围的N个反馈腔,N≥2。主腔所具有的上布拉格发射镜与每一反馈腔所具有的上布拉格发射镜的纵向交接处均具有高阻层,高阻层用于电隔离主腔和反馈腔,高阻层还用于提...
磁随机存储器结构及其形成方法、电路及其工作方法技术
一种磁随机存储器结构及其形成方法、电路及其工作方法,其中结构包括:衬底;位于所述衬底表面的第一自旋轨道矩层;位于所述第一自旋轨道矩层表面的磁隧道结,所述磁隧道结包括第一铁磁层、第二铁磁层、以及位于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的势垒...
双栅互补型薄膜晶体管及其制备方法技术
本公开提供了一种双栅互补型薄膜晶体管,可以应用于集成电路制造技术领域。该双栅互补型薄膜晶体管包括:N型薄膜晶体管,包括:第一底栅结构,N型半导体层,第一源极,第一漏极和第一顶栅结构;第一源极和第一漏极分别设置于N型半导体层的两侧;N型半...
基于纳米孔结构的极紫外超透镜制造技术
本发明提供了一种基于纳米孔结构的极紫外超透镜,属于光学技术领域,其中超透镜包括自支撑薄膜,形成于自支撑薄膜之上的衍射薄膜;以及以周期U周期性排列在衍射薄膜上的多个单元结构,每个单元结构具有一个圆柱形纳米孔,圆柱形纳米孔贯穿衍射薄膜,并与...
基于遥感图像的港口舰船识别方法、装置、设备及介质制造方法及图纸
本发明提供了一种基于遥感图像的港口舰船识别方法、装置、设备及介质,该方法包括获取港口舰船的遥感图像;将图像输入至舰船识别模型获得港口舰船识别结果;舰船识别模型包括改进的Swin Transformer模型,FPN网络及预测目标舰船及目标...
一种神经网络加速系统、其测试装置和电子设备制造方法及图纸
本申请公开一种神经网络加速系统、其测试装置和电子设备,涉及机器学习及人工智能领域,所述系统包括加速顶层接口单元和神经网络单元;所述神经网络单元包括依次连接的卷积层模块、池化层模块和全连接层模块;其中,所述卷积层模块、所述池化层模块和所述...
一种低增益雪崩探测器及其制作方法技术
本发明涉及一种低增益雪崩探测器及其制作方法。方法包括:在预制的半导体结构中形成P+增益层;所述预制的半导体结构包括衬底,以及在所述衬底上表面依次垂直堆叠的P型掺杂层、氧化层和光刻胶,以及至少一个凹槽;所述凹槽贯穿所述光刻胶但不贯穿所述氧...
一种开关电容离散型积分器电路制造技术
本发明提供了一种开关电容离散型积分器电路,包括单位增益缓冲器、RC滤波电路和新型的开关电容积分器,相较于传统的离散型开关电容积分器,将采样相分割成两个相位,即采样信号预建立相位和采样信号精确建立相位,引入积分相预采样电容,在开关电容积分...
一种能量探测系统技术方案
本公开涉及一种能量探测系统,包括:光学测量腔室、第一能量探测器和第二能量探测器、第一通道信号处理电路和第二通道处理电路、高速AD采集转换模块、多路LVDS接口模块、FPGA处理器模块、上位机和显示模块;所述第一能量探测器和所述第二能量探...
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